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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇信号
  • 2篇信号线
  • 2篇正投影
  • 2篇显示装置
  • 2篇绝缘
  • 2篇基板
  • 2篇衬底
  • 1篇电极
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇膜厚
  • 1篇沟道
  • 1篇PS
  • 1篇TFT
  • 1篇AL电极

机构

  • 4篇北京京东方光...
  • 2篇京东方科技集...

作者

  • 4篇王彦强
  • 2篇张家祥
  • 2篇冀新友
  • 1篇李京鹏
  • 1篇焦宇
  • 1篇黄东升
  • 1篇王威
  • 1篇王亮
  • 1篇覃一锋
  • 1篇陈思
  • 1篇冀新友
  • 1篇卢凯
  • 1篇王凤涛
  • 1篇刘琨
  • 1篇张洁
  • 1篇李良杰
  • 1篇王琪

传媒

  • 2篇液晶与显示

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2017
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种阵列基板和显示装置
本发明提供一种阵列基板和显示装置,该阵列基板包括衬底基板,衬底基板的非显示区域中设置有至少三层相互绝缘的信号线,信号线中包括沿相同方向延伸的第一层信号线和第二层信号线,以及与第一层信号线和第二层信号线交叉绝缘设置的第三层...
冀新友王彦强
文献传递
TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究被引量:3
2017年
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N^+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N^+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。
张家祥王彦强卢凯张文余王凤涛冀新友王亮张洁王琪刘琨李良杰李京鹏
关键词:漏电流AL电极
一种阵列基板和显示装置
本发明提供一种阵列基板和显示装置,该阵列基板包括衬底基板,衬底基板的非显示区域中设置有至少三层相互绝缘的信号线,信号线中包括沿相同方向延伸的第一层信号线和第二层信号线,以及与第一层信号线和第二层信号线交叉绝缘设置的第三层...
冀新友王彦强
高PS材料制备及工艺研究
2019年
本文对高膜厚PS材料进行了研究,通过工艺优化,成功在G5线实现了60~120μm的高PS。通过前烘工艺和固化工艺优化调整,得到了无气泡、膜面良好的高PS材料。本文还对曝光量对PS影响进行了研究,发现曝光量低于50mJ时,PS材料无法有效成型;当曝光量达到150mJ时,得到形貌良好,达到设计值的PS。最后还对不同基底高PS材料进行了研究,发现未进行增粘处理时,SiN基底粘附性良好,Mo基底还需继续优化处理。
张家祥王威王彦强焦宇周海龙张芳徐闪闪陈召覃一锋张文余黄东升陈思
共1页<1>
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