冯琛
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 1310nm大功率低噪声DFB激光器设计被引量：2
- 2014年
- 对工作波长为1 310nm的大功率低噪声DFB激光芯片结构进行了优化设计。分别对具有相同非对称分别限制层（SCH）外延层的掩埋异质结构（BH）和脊波导结构（RWG）进行了建模仿真。计算结果表明：非对称SCH结构较对称SCH结构,可明显提高激光输出功率;相比于RWG结构,BH结构对载流子有更好的限制作用,从而降低相对强度噪声（RIN）。优化设计后的DFB激光器输出功率高达207mW@600mA,斜率效率为0.36W/A,边模抑制比为50dB,在1~30GHz范围内,激光器的相对强度噪声小于-160dB/Hz。
- 冯琛张靖田坤王培界黄茂
- 关键词：大功率DFB激光器
- 微环外腔可调谐窄线宽半导体激光器特性分析
- 2024年
- 对基于氮化硅的微环外腔反馈窄线宽半导体激光器进行了性能表征和研究。通过对增益芯片的驱动电流、两个微环热电极电压、相位节热电极电压和半导体制冷器(Thermoelectric cooler,TEC)温度控制等参数的调节,实现了C波段可调谐输出,所提激光器的边模抑制比≥52 dB,输出功率>10 dBm。通过对激光器高频白噪声进行表征,计算得到激光器的线宽为0.84 kHz,相位噪声在0.01、0.1和1 kHz处分别为581.04、60.47和6.70μrad/Hz^(1/2)。通过对激光器的相对强度噪声(RIN)进行测试,在1~20 GHz范围内,激光器RIN≤-156 dB/Hz。基于上述优异的性能,基于氮化硅的微环外腔反馈窄线宽半导体激光器有望在光纤传感、微波光子、相干通信和多普勒激光雷达等领域发挥潜在应用价值。
- 刘绍殿肖永川李朋飞冯琛瞿鹏飞
- 关键词：微环谐振腔氮化硅窄线宽半导体激光器
- 基于内置光栅的大功率激光二极管被引量：1
- 2015年
- 研制了一种用作光纤激光器泵浦光源内置光栅的976nm激光二极管,分析了外延结构和芯片平面结构设计,并着重对内置光栅进行了理论分析和设计,通过技术研究和工艺优化,研制出了满足系统工程应用的激光二极管,其主要光电性能参数如下:中心波长为976±1nm;光谱半宽小于等于1nm;中心波长温度漂移系数小于等于0.1nm/℃;输出功率大于等于10W;发光条宽度小于等于100μm。
- 廖柯刘刚明周勇段利华冯琛田坤
- 关键词：大功率激光二极管中心波长
- 覆盖S+C波段的宽光谱带宽InGaAlAs/InP量子阱结构
- 2022年
- 通过理论仿真和实际制备测试,分析比较了基于非对称量子阱结构(10 nm厚和6 nm厚的量子阱组合)的光放大芯片与对称量子阱结构(10 nm厚量子阱)的光放大芯片的性能。两种结构的理论模式增益同最终实测值符合较好。最终光谱测试结果显示,对称量子阱结构的光放大芯片存在基态增益饱和的现象,在大电流注入情况下,激态跃迁占据优势,从而造成光谱宽度急剧下降。而非对称量子阱结构的光放大芯片的光谱宽度随着注入电流的增加不断拓宽,在600 mA下实现199.7 nm光谱带宽,覆盖S+C波段。由此可见,非对称量子阱结构更有利于实现高功率、宽光谱的光放大芯片。
- 周帅冯琛廖苗苗罗晶彭芳草贺勇段利华张靖
- 关键词：宽光谱
