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王春红

作品数：2 被引量：7H指数：2
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：国防基础科研计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇碲镉汞
  • 1篇平面度
  • 1篇平坦化
  • 1篇碲镉汞材料
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇化合物半导体...
  • 1篇焦平面
  • 1篇红外
  • 1篇红外焦平面
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料

机构

  • 2篇华北光电技术...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 2篇秦艳红
  • 2篇李春领
  • 2篇王春红
  • 1篇侯晓敏

传媒

  • 2篇激光与红外

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
碲镉汞材料双面平坦化工艺研究被引量：2
2017年
通过对30mm×25mm尺寸的碲镉汞材料和器件进行双面平坦化工艺,使其平面度达到与Si读出电路互连要小于2μm的要求,提高了MW1280×1024焦平面器件互连成品率。
李春领王春红秦艳红
关键词：碲镉汞平面度
化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究被引量：6
2012年
研究了一种去除碲镉汞液相外延(LPE)薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示,利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹,获得较好的平坦化表面,提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。
李春领何铁生侯晓敏秦艳红王春红
关键词：碲镉汞红外焦平面
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共1页<1>
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