侯晓敏
- 作品数：12 被引量：22H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- PBN坩埚生长碲锌镉单晶的性能与缺陷研究被引量：1
- 2019年
- 采用垂直布里奇曼法,利用热解氮化硼(PBN)坩埚生长碲锌镉单晶(CdZnTe),并对晶体进行定向、切割与磨抛制成(111)面碲锌镉晶片。采用傅里叶红外透过光谱仪、红外透射显微镜、金相显微镜、X射线形貌仪、X射线衍射仪和X射线双晶衍射仪等仪器系统地检测和研究了碲锌镉晶体的性能与缺陷。研究发现:相比于石英坩埚,采用PBN坩埚生长的碲锌镉晶体单晶率和出片率均大幅增加,孪晶、小角晶界和位错密度明显减少。
- 范叶霞徐强强侯晓敏折伟林吴卿周立庆
- 关键词：碲锌镉晶体位错密度
- CdZnTe(211)B衬底对MBE外延碲镉汞材料的影响分析被引量：3
- 2015年
- 碲锌镉CdZnTe(211)B衬底广泛应用于碲镉汞(HgCdTe)分子束外延生长,其性能参数在很大程度上决定了碲镉汞分子束外延材料的质量。主要讨论了CdZnTe(211)B衬底几个关键性能参数对碲镉汞外延材料的影响,包括Zn组分及均匀性、缺陷(位错、孪晶及晶界和碲沉淀)以及表面状态(粗糙度和化学组成),并且分析了对CdZnTe(211)B衬底进行筛分时各性能参数的评价方法和指标。
- 吴亮亮侯晓敏王丛王经纬刘铭周立庆
- 关键词：碲锌镉碲镉汞分子束外延
- 碲锌镉衬底晶向对碲镉汞薄膜表面形貌的影响被引量：2
- 2018年
- 利用定向仪对原生晶片及加工后的碲锌镉衬底的晶向进行比较,观察不同晶向衬底液相外延碲镉汞薄膜的表面形貌,考察了衬底晶向偏差对液相外延碲镉汞薄膜表面形貌的影响。通过进一步的追踪碲锌镉衬底在加工过程中的晶向变化,研究衬底晶向变化的原因和解决方法。研究发现,碲锌镉晶体在初次定向切割后的加工过程中晶向会发生明显变化,而在厚度减薄较大的粗磨工艺后不会发生较大晶向偏差,因此,可将粗磨后衬底的再次定向结果作为进一步筛选碲锌镉衬底的依据,以保证液相外延碲镉汞薄膜的质量。
- 杨海燕周晓珺侯晓敏何越阳
- 关键词：碲锌镉碲镉汞
- 化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究被引量：6
- 2012年
- 研究了一种去除碲镉汞液相外延(LPE)薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示,利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹,获得较好的平坦化表面,提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。
- 李春领何铁生侯晓敏秦艳红王春红
- 关键词：碲镉汞红外焦平面
- 原子力显微镜在材料器件工艺中的应用
- 2014年
- 介绍了原子力显微镜在碲镉汞材料器件工艺测试方面的应用。应用其可以进行磨抛后材料表面的粗糙度测试,接触孔形貌,以及外延后衬底的表面形貌。通过合理的选择扫描参数和探针,可以直观得到样品的表面形貌,接触孔还可以得到孔的尺寸和孔底形貌。尤其在接触孔测试方面,原子力的精度更高,抗干扰能力强且扫描结果更为直观,准确。本文通过对碲镉汞材料器件工艺中不同类型样品测试的介绍,认为原子力显微镜在碲镉汞材料器件工艺测试中发挥了较大的作用。
- 杨雅茹谭振侯晓敏孙浩
- 关键词：原子力显微镜形貌接触孔
- InSb(111)A面腐蚀坑成因分析被引量：1
- 2014年
- 采用光学显微镜和光学轮廓仪分析了InSb晶片(111)A面经特定腐蚀剂腐蚀后出现的两种特征腐蚀坑,并通过多次腐蚀试验观察了这两种腐蚀坑形貌的演变。从理论上对腐蚀坑形貌的成因进行了分析,结果显示1类特征腐蚀坑的成因是由于晶片固有的位错缺陷,2类特征腐蚀坑可能是由于晶片表面存在一定深度的损伤层引起的。
- 吴卿巩锋陈元瑞侯晓敏崔健维
- 关键词：INSB腐蚀坑位错损伤层
- PBN坩埚生长碲锌镉单晶的性能与缺陷研究
- 本文采用垂直布里奇曼法,利用热解氮化硼(PBN)坩埚生长碲锌镉单晶(Donte,CZT),并对晶体进行定向切割与磨抛,制成(111)面碲锌镉晶片。采用傅里叶红外透过光谱仪、红外透射显微镜、金相显微镜、X 射线形貌仪、X ...
- 范叶霞徐强强侯晓敏折伟林吴卿周立庆
- 关键词：碲锌镉晶体位错密度
- 碲锌镉衬底的化学机械抛光液研究
- 2023年
- 作为碲锌镉衬底表面加工的重要工序,化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)的加工效果决定了碲锌镉衬底的表面质量和生产效率。抛光液是CMP的关键影响因素之一,直接影响衬底抛光后的表面质量。对碲锌镉衬底CMP工艺使用的抛光液进行了研究,探究了以二氧化硅溶胶和过氧化氢为主体的抛光液体系在不同pH值、不同磨料浓度下对衬底抛光表面质量和去除速率的影响。结果表明,使用改进后的抛光液体系对碲锌镉衬底进行CMP,能够在获得超光滑表面的同时实现高效率加工,为批量化制备高表面质量的碲锌镉衬底奠定了良好基础。
- 王琰璋岳晓辉李振兴柏伟侯晓敏
- 关键词：碲锌镉化学机械抛光PH值
- 液相外延碲镉汞薄膜表面的结晶类缺陷分析被引量：4
- 2019年
- 利用扫描电镜、能谱分析、光学轮廓仪以及金相显微镜等测试手段对 液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷的形貌、成分和断面进行了分析,并研究了不同 种类表面缺陷的特征及来源。结果表明,液相外延碲镉汞薄膜表面上存在的结 晶类缺陷往往尺寸较大或成片分布,对后续器件产生明显影响。通过分析其成 因可以发现,母液均匀性的提升是减少该类缺陷和提高碲镉汞薄膜质量的关键。
- 杨海燕侯晓敏胡尚正刘铭曹鹏飞赵硕
- 关键词：碲镉汞
- 碲锌镉晶体Cd源控制生长技术研究被引量：2
- 2022年
- 针对碲锌镉(CdZnTe)晶体中二次相缺陷问题,Cd源控制生长技术是更为有效的缺陷抑制技术。本文结合模拟仿真与实际测温调温,对比了VB法以及VGF法下Cd源处温度的可控性。在实现Cd源处温度控制基础上研究了不同Cd源处温度控制条件对晶体二次相缺陷尺寸及分布的影响。VB法中,Cd源处控制温度快速下降,晶体尾端出现三角形Te夹杂缺陷。VGF法中,在Cd源控制温度达到820~790℃范围内时,虽然晶体头部中心部分二次相缺陷问题改善效果一般,但晶体边缘及尾部二次相缺陷问题能够得到了极大改善。
- 刘江高李轩徐强强范叶霞侯晓敏刘铭吴卿
- 关键词：碲锌镉晶体
