李春领
- 作品数：18 被引量：28H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划国家科技型中小企业技术创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 碲镉汞材料双面平坦化工艺研究被引量：2
- 2017年
- 通过对30mm×25mm尺寸的碲镉汞材料和器件进行双面平坦化工艺,使其平面度达到与Si读出电路互连要小于2μm的要求,提高了MW1280×1024焦平面器件互连成品率。
- 李春领王春红秦艳红
- 关键词：碲镉汞平面度
- 基于可靠性试验的InSb红外探测器失效机理研究被引量：1
- 2022年
- 对于芯片加速寿命可靠性试验来说,温度是其中最重要的一环。首先,立足于芯片可靠性试验中温度的变化,探究高温烘烤对InSb红外探测器芯片光电性能的影响;然后对盲元的类型进行了分类,并总结出了像元损伤的可能原因;最后利用有限元分析软件对探测器结构进行了热应力仿真和分析,进一步明确了芯片碎裂的机理。由仿真结果可知,芯片中心位置受力较大,其值在680 MPa左右,这与InSb探测器中心位置易发生疲劳失效现象相吻合。提供了一种研究InSb探测器失效机理的新思路,对于高性能InSb红外探测器的研制具有一定的实际指导意义。
- 张伟婷宁提李忠贺李春领
- 关键词：温度变化INSB光伏探测器应力
- InSb红外探测器组件的无输出问题研究
- 2020年
- 研究了InSb红外探测器组件的无输出问题。通过故障分析确定探测器的失效部件为InSb芯片。结合器件结构和工艺,对InSb器件的失效机理进行了研究。发现器件在去胶工艺中有光刻胶残留,在后续的钝化工艺中会生成难以腐蚀去除的沾污层,导致电极膜层存在可靠性隐患。经历高温、振动等环境试验后电极浮起,导致了探测器组件的无输出问题。
- 李忠贺吕梁晴李海燕牟宏山赵建忠李春领
- 关键词：INSB红外探测器
- 大规模红外焦平面阵列探测器的有效像元率研究
- 2023年
- 随着大规模红外焦平面阵列探测器应用的日益广泛,用户对其有效像元率指标提出了越来越高的要求。分析了有效像元率提升的难点。通过优化基于垂直布里奇曼法的衬底生长以及表面加工等工艺,提高了液相外延材料质量,获得了低缺陷中波碲镉汞薄膜外延材料;通过开发碲镉汞探测器背面平坦化工艺和优化探测器与读出电路倒装互连工艺,提高了成品率。最终提升了有效像元率指标(大于99.8%),获得了良好的效果。
- 谢珩周铭李春领刘江高
- 关键词：红外焦平面阵列液相外延
- 碲镉汞薄膜分步化学抛光技术研究
- 2020年
- 针对碲镉汞薄膜化学抛光过程中容易产生材料组分均匀性变差、影响芯片性能的现象,提出了一种分步化学抛光技术。材料表面分析和组分分析结果表明,分步化学抛光可以降低材料表面的粗糙度,改善化学抛光材料组分的均匀性,有效地去除材料表面氧化,同时对探测器芯片性能的均匀性提升也做出了一定的贡献。
- 肖钰张国旗徐长彬李春领
- 关键词：碲镉汞薄膜化学抛光均匀性
- 红外热成像技术在民用领域的应用被引量：10
- 2019年
- 介绍了红外热成像技术的特点,讨论了红外热成像技术在民航、电力、石化、森林防火、医疗等民用领域的应用情况。介绍了红外热成像技术的市场状况,分析了不同应用领域对红外热成像技术的发展需求。
- 张敏韩芳康键孙浩郭亮李春领
- 关键词：红外热成像技术
- 化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究被引量：6
- 2012年
- 研究了一种去除碲镉汞液相外延(LPE)薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示,利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹,获得较好的平坦化表面,提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。
- 李春领何铁生侯晓敏秦艳红王春红
- 关键词：碲镉汞红外焦平面
- 用于可见光/短波红外双波段探测的碲镉汞技术
- 2018年
- 论述了一种基于短波碲镉汞材料的可见光/红外双波段探测技术。通过更换可见光和短波红外镜头的方式,利用短波碲镉汞探测器分别进行了可见光和短波红外成像。结果表明,短波碲镉汞探测器可以进行可见光成像,这就为同时探测可见光和短波红外光提供了可能。
- 李春领王亮
- 关键词：可见光短波红外双波段
- 长波碲镉汞探测器的原位集成微透镜技术研究被引量：4
- 2019年
- 采取原位集成的方式在红外焦平面探测器芯片的入光侧制备微透镜阵列以达到增强信号以及减小串音的作用,通过光学分析获得了匹配不同中心距器件的微透镜结构设计,在长波碲镉汞320×256,50μm和30μm中心距的探测器上验证了原位集成的微透镜阵列能够有效地通过汇聚光线,使信号增强分别达到28%和61%。对于超高灵敏度红外探测以及SWaP和超大规模红外探测器研究具有重大意义。
- 刘世光牛峻峰张轶张敏王成刚吴卿谭振李春领
- 关键词：碲镉汞长波微透镜
- 碲锌镉晶体表面磨抛方法研究被引量：3
- 2018年
- 碲锌镉是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。随锌含量不同,其禁带宽度可连续调节,是用于制备红外探测器的碲镉汞材料的优良衬底。介绍了多种碲锌镉晶体的磨抛方法,包括手工研磨、机械抛光、化学抛光和机械化学抛光。借助多种表征技术和改良手段,碲锌镉晶体的表面加工取得了显著进步。
- 程雨李春领肖钰
- 关键词：碲锌镉磨抛
