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李忠贺

作品数：17 被引量：14H指数：2
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文期刊文章

领域

  • 17篇电子电信

主题

  • 13篇红外
  • 12篇探测器
  • 9篇红外探测
  • 9篇红外探测器
  • 6篇INSB
  • 5篇焦平面
  • 4篇锑化铟
  • 3篇碲镉汞
  • 3篇焦平面探测器
  • 3篇红外焦平面
  • 3篇红外焦平面探...
  • 2篇应力
  • 2篇中波
  • 2篇碲镉汞红外探...
  • 2篇离子束
  • 2篇离子束溅射
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化镉
  • 2篇溅射
  • 2篇IRFPA

机构

  • 17篇华北光电技术...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 17篇李忠贺
  • 5篇宁提
  • 4篇李海燕
  • 3篇李春领
  • 2篇王成刚
  • 2篇赵建忠
  • 2篇刘森
  • 2篇杨刚
  • 2篇吴卿
  • 2篇王经纬
  • 2篇郭喜
  • 2篇张磊
  • 2篇亢喆
  • 1篇胡尚正
  • 1篇杜红燕
  • 1篇甘玉梅
  • 1篇刘建伟
  • 1篇任秀娟
  • 1篇周立庆
  • 1篇邢伟荣

传媒

  • 12篇红外
  • 5篇激光与红外

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
512×8像素级数字化长波红外探测器研究被引量：2
2019年
像素级数字化红外探测器具有更高的性能水平和更强的抗干扰能力,是红外探测器技术发展的重要方向之一。通过突破像素级数字化读出电路设计、低峰谷碲镉汞材料外延、器件制备工艺以及倒装互连等关键技术,研制出了一种512×8像素级数字化长波红外探测器组件,并对其性能进行了测试。此探测器的响应波段为7.85~10.17 m,平均峰值响应率为1.4×1011 LSB/W,响应率非均匀性为9.13%,有效像元率为97.5%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为4.4 mK,动态范围为90.6 dB。测试结果表明,该探测器能够满足系统要求。
李忠贺康健王成刚张敏陈彦冠胡尚正周立庆吴卿袁媛
关键词：碲镉汞红外探测器长波红外数字化
基于可靠性试验的InSb红外探测器失效机理研究被引量：1
2022年
对于芯片加速寿命可靠性试验来说,温度是其中最重要的一环。首先,立足于芯片可靠性试验中温度的变化,探究高温烘烤对InSb红外探测器芯片光电性能的影响;然后对盲元的类型进行了分类,并总结出了像元损伤的可能原因;最后利用有限元分析软件对探测器结构进行了热应力仿真和分析,进一步明确了芯片碎裂的机理。由仿真结果可知,芯片中心位置受力较大,其值在680 MPa左右,这与InSb探测器中心位置易发生疲劳失效现象相吻合。提供了一种研究InSb探测器失效机理的新思路,对于高性能InSb红外探测器的研制具有一定的实际指导意义。
张伟婷宁提李忠贺李春领
关键词：温度变化INSB光伏探测器应力
InSb红外探测器组件的无输出问题研究
2020年
研究了InSb红外探测器组件的无输出问题。通过故障分析确定探测器的失效部件为InSb芯片。结合器件结构和工艺,对InSb器件的失效机理进行了研究。发现器件在去胶工艺中有光刻胶残留,在后续的钝化工艺中会生成难以腐蚀去除的沾污层,导致电极膜层存在可靠性隐患。经历高温、振动等环境试验后电极浮起,导致了探测器组件的无输出问题。
李忠贺吕梁晴李海燕牟宏山赵建忠李春领
关键词：INSB红外探测器
红外探测器制备中不同镀金层的对比分析
2023年
针对红外探测器制备过程中的多种镀金工艺展开了研究,通过对不同工艺制备的镀金层进行扫描电镜观察,发现不同的镀金工艺制备的样品存在较大的差异。电镀金层的晶粒直径为2~3μm,真空蒸发镀金的晶粒直径为100~600nm,离子束溅射镀金的晶粒直径在30~70nm之间。对不同的方法制备的金层与铟焊料的扩散速度进行了试验及分析,发现晶粒尺寸越小铟的扩散速度越快。
刘森张磊杨斌李忠贺
关键词：离子束溅射晶粒
红外探测器电极设计
2024年
针对红外探测器芯片使用的电极体系展开了调研,虽然国内、外很多红外探测器生产厂商、科研院所都公布了各自的电极体系,但是对于电极的设计很少有人提及,对于电极体系中各层薄膜的厚度设计更是鲜见。本文通过对常用电极材料的物理特性分析,设计了一种电极体系。验证试验结果表明这种电极体系未对器件性能造成影响,可以满足器件的可靠性要求。
龚志红甘玉梅刘森李忠贺张磊
关键词：IRFPA电极材料物理特性厚度
InSb红外焦平面探测器十字盲元问题的研究被引量：3
2021年
InSb红外焦平面探测器在中波红外波段占据重要地位,但十字盲元问题严重降低了探测器的性能。通过聚焦离子束定位剥离手段,发现了十字盲元区域的铟凸点失效。进一步检测发现,铟凸点制备参数欠佳。通过改进铟凸点形状和增加高度,加强了焊接面的牢固度。此后发现极少InSb器件存在十字盲元问题。在80℃下对铟凸点改进后的InSb红外器件进行了14天烘烤。经测试,十字盲元数目保持不变,铟凸点的可靠性较好。改进铟凸点制备技术可有效解决十字盲元问题。互连失效是十字盲元问题的主要原因。以此类推,该方法可解决所有InSb红外器件的十字盲元问题。
程雨李忠贺谢珩肖钰黄婷
钝化膜应力对锑化铟器件性能的影响
2022年
随着InSb红外探测器关键尺寸的不断缩小,钝化膜应力的大小对器件I-V性能的影响越发明显。为了降低探测器芯片的应力,研究了一种由SiO2和SiON组成的复合钝化膜体系。通过改变气体的射频时间,在InSb晶片上淀积厚度分别为300 nm、500 nm、700 nm和900 nm的钝化膜,测量并计算了不同厚度钝化膜的应力。当厚度为700 nm时,钝化膜的应力最小值为-1.78 MPa。研究了具有不同应力钝化膜的器件的I-V特性,发现厚度为700 nm时InSb芯片具有更加优异的I-V特性。通过调整复合钝化膜的厚度,降低了钝化膜的应力,有效地提升了InSb探测器的性能。
米南阳宁提李忠贺崔建维
关键词：应力伏安特性
锑化铟红外探测器的三维电极成型技术
2023年
锑化铟的电极因三维特性易产生侧壁断裂问题,互联的铟柱会侵入电极内部,影响锑化铟芯片的可靠性。使用离子束溅射沉积、热蒸发、磁控溅射等方法制备三维电极体系,并通过聚焦离子束(Focused Ion Beam, FIB)方法以及扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)对其进行表征。结果表明,通过热蒸发、磁控溅射制备的电极三维覆盖情况较好,但存在电极脱落和剥离困难的问题;离子束溅射沉积方法可通过改变沉积角度、移除修正挡板来实现锑化铟三维电极的高质量制备。
张泽群龚志红李忠贺李乾宁提杨刚
关键词：锑化铟热蒸发磁控溅射离子束溅射沉积
短/中波双色碲镉汞红外探测器制备研究被引量：1
2021年
报道了基于分子束外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展。采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并通过提高材料质量将其表面缺陷密度控制在300 cm-2以内。在此基础上进一步优化了芯片制备工艺,尤其是在减小像元中心距方面作了优化。基于上述多项材料及器件工艺制备出了320×256短/中波双色碲镉汞红外探测器组件。结果表明,该组件的测试性能及成像效果良好。
王经纬李忠贺高达邢艳蕾王成刚
关键词：碲镉汞红外探测器分子束外延
InSb焦平面芯片的响应率提升研究
2023年
InSb光伏探测器的响应率是评价探测器性能的重要指标之一。探测器的电压信号与响应率成正比。从光敏芯片的角度提出了增大InSb红外探测器信号的方法。通过实验设计,优化了台面湿法刻蚀的方法,减小了芯片p型层的厚度。优化台面刻蚀方法使台面面积增加,InSb芯片的I-V电流增大了40%,组件的电压信号值提升了16%。进一步将InSb芯片的p型层厚度减小至0.8~1.2μm后,InSb芯片的I-V电流增大了67.3%,单元组件的电压信号值提升了40.2%。基于InSb光敏芯片光生载流子的产生到光电流的转换过程,分析了台面湿法刻蚀以及p型层的厚度对信号的影响机理。该研究对于提升InSb探测器信号和优化探测器性能具有重要的指导意义。
米南阳宁提李忠贺崔建维
关键词：信号湿法刻蚀P-N结
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