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肖钰

作品数：11 被引量：28H指数：4
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：陕西省教育厅省级重点实验室科研与建设计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信

主题

  • 6篇INSB
  • 4篇焦平面
  • 4篇红外
  • 3篇探测器
  • 3篇盲元
  • 3篇红外焦平面
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 2篇锑化铟
  • 2篇晶体
  • 2篇焦平面器件
  • 2篇焦平面探测器
  • 2篇红外焦平面探...
  • 1篇钝化
  • 1篇钝化层
  • 1篇预处理
  • 1篇抛光
  • 1篇碲锌镉
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇碲镉汞薄膜

机构

  • 11篇华北光电技术...

作者

  • 11篇肖钰
  • 3篇李春领
  • 2篇曹凌霞
  • 2篇宁提
  • 2篇温涛
  • 2篇刘铭
  • 2篇亢喆
  • 1篇尚林涛
  • 1篇王淑艳
  • 1篇周立庆
  • 1篇赵建忠
  • 1篇巩锋
  • 1篇段建春
  • 1篇杨刚
  • 1篇谢珩
  • 1篇宁玮
  • 1篇刘震宇
  • 1篇徐长彬
  • 1篇张影
  • 1篇折伟林

传媒

  • 7篇红外
  • 4篇激光与红外

年份

  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2010
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碲镉汞薄膜分步化学抛光技术研究
2020年
针对碲镉汞薄膜化学抛光过程中容易产生材料组分均匀性变差、影响芯片性能的现象,提出了一种分步化学抛光技术。材料表面分析和组分分析结果表明,分步化学抛光可以降低材料表面的粗糙度,改善化学抛光材料组分的均匀性,有效地去除材料表面氧化,同时对探测器芯片性能的均匀性提升也做出了一定的贡献。
肖钰张国旗徐长彬李春领
关键词：碲镉汞薄膜化学抛光均匀性
锑化铟红外焦平面器件盲元分析方法
2020年
提出了一种锑化铟红外焦平面器件盲元分析方法。利用该方法,无需将器件背面减薄就能进行盲元测试与分析。基于这种封装方式,将器件倒置后,从芯片正面吸收光的照射,在互连、灌胶以及每一步磨抛工艺步骤后均可进行测试和分析。结果表明,该方法能够有效地分析和定位每步工序过程中产生的盲元情况,可解决现有技术手段中对红外焦平面器件因产生盲元导致像元失效而无法准确定位其出现在哪步工艺的问题。
肖钰杨刚范博文宁提刘震宇
关键词：锑化铟红外焦平面器件
InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究被引量：1
2020年
在长波红外波段,InAs/GaSbⅡ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,因此得到了广泛研究。对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列试验。针对<100>GaSb单晶片进行了单点金刚石机床精密加工、机械化学抛光和化学抛光方法研究,并去除了加工损伤。InAs/GaSbⅡ类超晶格红外器件的流片结果表明,长波探测器组件获得了较好的红外成像图片,提高了InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器芯片的研制水平。
程雨鲍英豪肖钰李春领亢喆刘铭
关键词：INAS/GASB表面形貌长波红外探测器
InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题研究被引量：1
2021年
研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题。通过故障分析以及有针对性的排查对比试验,排除了封装、胶水填充和划片等因素,并将故障定位在钝化工艺前。通过对钝化前的InSb材料片表面进行X射线光电子能谱测试,发现它含有Al和As等杂质元素,存在钝化前材料表面杂质含量较多的隐患。杂质元素在PN结的耗尽区形成杂质能级,加载电压后容易导致PN结漏电流较高,使I-V特性退化,从而形成过热盲元。通过缩短器具洗液的更换周期并且分隔使用多个生产线的器具,可以减少材料表面的杂质附着,使区域性过热盲元问题得到有效解决。
程雨龚志红肖钰黄婷温涛亢喆宁提
关键词：INSB红外探测器
表面预处理对InSb钝化层界面的影响被引量：4
2014年
本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理,来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方法预处理制备的钝化结构的电学特性。结果表明等离子预处理能明显改善InSb衬底和钝化层之间的界面性能,尤其是选用N2O等离子预处理InSb衬底表面,在控制界面陷阱和减少钝化层固定电荷方面,效果更明显,有利于提高InSb红外器件的可靠性。
肖钰史梦然宁玮段建春
关键词：INSB钝化预处理
单点金刚石切削InSb单晶的研究被引量：4
2019年
InSb红外焦平面探测器一直在中波波段占据重要地位。随着科技的发展,迫切需要针对InSb单晶的精密加工方法。采用单点金刚石切削(Single Point Diamond Turning,SPDT)精密机床对InSb晶体进行减薄工艺开发。在机床加工工艺中,可变参数有主轴转速、单次去除量和进给速度等。通过正交试验,确定了单点金刚石切削InSb晶体的最佳工艺参数。对于切削后的InSb晶体,结合双晶衍射测试,其切削损伤低于3■m。InSb红外器件流片证实单点金刚石切削InSb晶体工艺能满足用户的使用要求,获得较好的结果。
程雨曹凌霞肖钰
关键词：INSB
碲锌镉晶体表面磨抛方法研究被引量：3
2018年
碲锌镉是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。随锌含量不同,其禁带宽度可连续调节,是用于制备红外探测器的碲镉汞材料的优良衬底。介绍了多种碲锌镉晶体的磨抛方法,包括手工研磨、机械抛光、化学抛光和机械化学抛光。借助多种表征技术和改良手段,碲锌镉晶体的表面加工取得了显著进步。
程雨李春领肖钰
关键词：碲锌镉磨抛
InSb红外焦平面探测器十字盲元问题的研究被引量：3
2021年
InSb红外焦平面探测器在中波红外波段占据重要地位,但十字盲元问题严重降低了探测器的性能。通过聚焦离子束定位剥离手段,发现了十字盲元区域的铟凸点失效。进一步检测发现,铟凸点制备参数欠佳。通过改进铟凸点形状和增加高度,加强了焊接面的牢固度。此后发现极少InSb器件存在十字盲元问题。在80℃下对铟凸点改进后的InSb红外器件进行了14天烘烤。经测试,十字盲元数目保持不变,铟凸点的可靠性较好。改进铟凸点制备技术可有效解决十字盲元问题。互连失效是十字盲元问题的主要原因。以此类推,该方法可解决所有InSb红外器件的十字盲元问题。
程雨李忠贺谢珩肖钰黄婷
锑化铟焦平面器件背面减薄后的表面处理方法研究被引量：4
2020年
经传统的背面减薄工艺处理后,锑化铟焦平面器件的表面上经常会有细微划道;采用传统的表面清洗方式时也容易对器件表面造成划道,导致工艺重复性差。因此,当器件经过背面减薄后,利用腐蚀液去除划道,并采用基于石油醚和无水乙醇的非接触式清洗方法,有效降低了器件表面产生划道的几率,同时避免了由于表面腐蚀速率不均匀导致测试时部分区域电平较高、在测试图像上出现亮斑等情况;另外还提高了工艺的重复性,使锑化铟器件的红外成像均匀且没有划道,从而提高了该器件的成品率。
肖钰李家发王淑艳曹凌霞李海燕
关键词：锑化铟表面处理
InSb薄膜分子束外延技术研究被引量：9
2013年
InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析,并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证,结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求。
刘铭程鹏肖钰折伟林尚林涛巩锋周立庆
关键词：分子束外延晶体质量
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