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朱志明

作品数：13 被引量：14H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 8篇单晶
  • 6篇砷化镓
  • 4篇SI-GAA...
  • 4篇衬底
  • 3篇半绝缘
  • 3篇SIC衬底
  • 2篇单晶制备
  • 2篇正交
  • 2篇正交实验
  • 2篇晶体
  • 2篇均匀性
  • 2篇GAAS单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇压力控制
  • 1篇熔体
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇碳含量
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅衬底

机构

  • 13篇南京电子器件...

作者

  • 13篇朱志明
  • 8篇谢自力
  • 7篇夏德谦
  • 7篇陈宏毅
  • 5篇赵志飞
  • 5篇李赟
  • 5篇陆东赛
  • 3篇李忠辉
  • 3篇尹志军
  • 1篇朱顺才

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇1997
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
C/Si比对Si(100)衬底3C-SiC薄膜质量的影响
SiC具有优异的材料特性,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件[1].相对于衬底价格昂贵的SiC同质外延,Si基SiC异质外延在衬底价格及外延尺寸上面具有其独特的优势,同时Si基SiC异质外延材料还可以兼容于成熟...
赵志飞李赟尹志军朱志明陆东赛
退火时间对SiC热解法制备石墨烯薄膜的影响被引量：2
2013年
利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30min之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。
李赟尹志军赵志飞朱志明陆东赛李忠辉
关键词：石墨烯碳化硅衬底
ＬＥＣ法生长Ｓｉ－ＧａＡｓ单晶时的孪晶研究
谢自力朱志明
关键词：单晶制备孪晶间界晶体缺陷
通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究
1997年
通过温度压力改变，使整个ＬＥＣＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩＧａＡｓ单晶。单晶表面离解少，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶生长过程中Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单晶位错密度的影响。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词：砷化镓单晶生长
轻掺铬SI-GaAs单晶的研制
1993年
本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用中取得了较好结果。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词：掺铬半绝缘砷化镓单晶制备
半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究被引量：1
1994年
报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定性不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明朱顺才陈小兵
关键词：半绝缘砷化镓单晶热稳定性
4°偏轴SiC衬底外延工艺研究被引量：1
2013年
4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600～1 700V SBD器件的研制。
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
关键词：肖特基二极管
基于正交实验的100mm 4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究被引量：3
2014年
采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数。采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23%和3.32%。
李赟赵志飞陆东赛朱志明李忠辉
关键词：SIC衬底均匀性正交实验
组分对SI-GaAs单晶特性的影响被引量：1
1993年
本文报道了从不同组分熔体中生长半绝缘砷化镓(SI-GaAS)单晶的实验。结合其国内外组分与电学特性研究报道,分析了不同组分熔体生长的SI-GaAs单晶特性。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词：单晶半绝缘砷化镓
应用改进的热场生长低位错SI-CaAs单晶被引量：4
1992年
报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30～60℃/cm,拉制的φ50mm,<100>晶向的SI—GaAs单晶,其位错密度低于5×10~3cm^(-2),局部无位错。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词：温度梯度位错密度砷化镓
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