夏德谦
- 作品数：10 被引量：13H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究
- 1997年
- 通过温度压力改变，使整个ＬＥＣＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩＧａＡｓ单晶。单晶表面离解少，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶生长过程中Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单晶位错密度的影响。
- 谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
- 关键词：砷化镓单晶生长
- 半绝缘砷化镓中碳含量对热稳定性的影响被引量：2
- 1992年
- 本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×10^(16)cm^(-3)时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×10^(15)cm^(-3)时,通常表现出良好的热稳定性。
- 谢自力陈宏毅朱顺才夏德谦
- 关键词：砷化镓碳含量
- 轻掺铬SI-GaAs单晶的研制
- 1993年
- 本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用中取得了较好结果。
- 谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
- 关键词：掺铬半绝缘砷化镓单晶制备
- 组分对SI-GaAs单晶特性的影响被引量：1
- 1993年
- 本文报道了从不同组分熔体中生长半绝缘砷化镓(SI-GaAS)单晶的实验。结合其国内外组分与电学特性研究报道,分析了不同组分熔体生长的SI-GaAs单晶特性。
- 谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
- 关键词：单晶半绝缘砷化镓
- 形成优质Si^＋注入SI—GaAs层的研究被引量：1
- 1994年
- 在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的ｎ型薄层．本文研究了引Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系．结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响．材料或退火过程中Ａｓ和Ｇａ的原子比［Ａｓ］／［Ｃａ］稍大时，注入层中电激活率和迁移率都高．实验还证明，２９Ｓｉ＋注入时ＢＦ＋束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降．本文指出注入时剂量不宜过大，白光快速退火时温度不宜过高，一般在９６０℃５秒退火为佳．
- 李国辉韩德俊陈如意姬成周王策寰夏德谦朱红清
- 关键词：砷化镓集成电路离子注入
- 应用改进的热场生长低位错SI-CaAs单晶被引量：4
- 1992年
- 报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30～60℃/cm,拉制的φ50mm,<100>晶向的SI—GaAs单晶,其位错密度低于5×10~3cm^(-2),局部无位错。
- 谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
- 关键词：温度梯度位错密度砷化镓
- 影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素被引量：1
- 1997年
- 研究了影响ＬＥＣ（液封直拉法）生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布、热对流。
- 谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
- 关键词：砷化镓
- 半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究被引量：1
- 1994年
- 报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定性不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关。
- 谢自力夏德谦陈宏毅朱志明朱顺才陈小兵
- 关键词：半绝缘砷化镓单晶热稳定性
- 半绝缘GaAs单晶的研制被引量：7
- 1987年
- 本文介绍原位合成生长半绝缘GaAs单晶研究与杂质分析结果。Ga、As比的控制,坩埚材料,热处理等条件均对单晶质量产生影响。制得直径75mm、重2.2kg的半绝缘GaAs单晶。典型电参数为:ρ300K≥10~7Ω·cm,μ300K=5380cm^2/V·s。经850℃热处理15分钟,Rs>10~7/□。利用本实验制得的半绝缘GaAs单晶,经外延、离子注入后制成的场效应管性能良好。
- 夏德谦陈宏毅
- 关键词：半绝缘单晶晶形GAAS
- 降低SI-GaAs单晶中碳含量的实验研究被引量：1
- 1991年
- 本文介绍了在国产高压单晶炉中,采取PBN涂层掩蔽碳的措施,利用LEC生长法,生长含碳量低的优质SI-GaAs单晶的工艺和实验结果.结合国内外LEC法生长SI-GaAs单晶降低碳含量的研究报道,讨论了环境中碳杂质沾污的机理及碳对SI-GaAs;单晶性能的影响.
- 谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
- 关键词：SIGAAS晶体碳含量
