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陆东赛

作品数：5 被引量：6H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇衬底
  • 3篇SIC衬底
  • 2篇正交
  • 2篇正交实验
  • 2篇均匀性
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅衬底
  • 1篇退火
  • 1篇退火时间
  • 1篇偏角
  • 1篇热解法
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇硅衬底
  • 1篇二极管
  • 1篇SIC
  • 1篇硅
  • 1篇3C-SIC

机构

  • 5篇南京电子器件...

作者

  • 5篇赵志飞
  • 5篇李赟
  • 5篇陆东赛
  • 5篇朱志明
  • 3篇李忠辉
  • 3篇尹志军

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2014
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
4°偏轴SiC衬底外延工艺研究被引量：1
2013年
4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600～1 700V SBD器件的研制。
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
关键词：肖特基二极管
基于正交实验的100mm 4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究被引量：3
2014年
采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数。采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23%和3.32%。
李赟赵志飞陆东赛朱志明李忠辉
关键词：SIC衬底均匀性正交实验
退火时间对SiC热解法制备石墨烯薄膜的影响被引量：2
2013年
利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30min之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。
李赟尹志军赵志飞朱志明陆东赛李忠辉
关键词：石墨烯碳化硅衬底
C/Si比对Si(100)衬底3C-SiC薄膜质量的影响
SiC具有优异的材料特性,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件[1].相对于衬底价格昂贵的SiC同质外延,Si基SiC异质外延在衬底价格及外延尺寸上面具有其独特的优势,同时Si基SiC异质外延材料还可以兼容于成熟...
赵志飞李赟尹志军朱志明陆东赛
基于正交实验的100mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究
本文采用行星热壁式SiC外延炉对100mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对外延材料表面形貌的影响.通过双指标正交实验研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气...
李赟赵志飞陆东赛朱志明李忠辉
关键词：均匀性正交实验
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