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陈宏毅

作品数:10 被引量:13H指数:2
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 9篇单晶
  • 8篇砷化镓
  • 6篇半绝缘
  • 3篇半绝缘砷化镓
  • 3篇SI-GAA...
  • 3篇GAAS单晶
  • 2篇碳含量
  • 2篇热稳定
  • 2篇热稳定性
  • 2篇中碳
  • 2篇GAAS
  • 1篇单晶生长
  • 1篇单晶制备
  • 1篇压力控制
  • 1篇熔体
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇热稳定性研究
  • 1篇位错

机构

  • 10篇南京电子器件...

作者

  • 10篇陈宏毅
  • 9篇谢自力
  • 9篇夏德谦
  • 7篇朱志明
  • 2篇朱顺才

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 3篇半导体技术
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 2篇1997
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1987
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究
1997年
通过温度压力改变,使整个LECGaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SIGaAs单晶。单晶表面离解少,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LECSIGaAs单晶生长过程中As的挥发和生长环境压力对生长的单晶位错密度的影响。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词:砷化镓单晶生长
半绝缘砷化镓中碳含量对热稳定性的影响被引量:2
1992年
本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×10^(16)cm^(-3)时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×10^(15)cm^(-3)时,通常表现出良好的热稳定性。
谢自力陈宏毅朱顺才夏德谦
关键词:砷化镓碳含量
轻掺铬SI-GaAs单晶的研制
1993年
本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用中取得了较好结果。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词:掺铬半绝缘砷化镓单晶制备
半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究被引量:1
1994年
报道了对LEC法生长的SI-GaAs单晶热稳定性检测结果,在800℃以上温度条件下退火,发现GaAs单晶的热稳定性不但与处理的条件有关,还与单晶中杂质C的含量有关。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明朱顺才陈小兵
关键词:半绝缘砷化镓单晶热稳定性
半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火被引量:2
1993年
本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El2浓度的分布均匀性有所改善,并且El2浓度和迁移率平均值经热退火后有所提高.
谢自力陈宏毅陈小兵
关键词:半绝缘砷化镓均匀性
组分对SI-GaAs单晶特性的影响被引量:1
1993年
本文报道了从不同组分熔体中生长半绝缘砷化镓(SI-GaAS)单晶的实验。结合其国内外组分与电学特性研究报道,分析了不同组分熔体生长的SI-GaAs单晶特性。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词:单晶半绝缘砷化镓
应用改进的热场生长低位错SI-CaAs单晶被引量:4
1992年
报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30~60℃/cm,拉制的φ50mm,<100>晶向的SI—GaAs单晶,其位错密度低于5×10~3cm^(-2),局部无位错。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词:温度梯度位错密度砷化镓
影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素被引量:1
1997年
研究了影响LEC(液封直拉法)生长GaAs单晶锭长的因素。发现,LEC系统中热场分布、热对流。
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词:砷化镓
半绝缘GaAs单晶的研制被引量:7
1987年
本文介绍原位合成生长半绝缘GaAs单晶研究与杂质分析结果。Ga、As比的控制,坩埚材料,热处理等条件均对单晶质量产生影响。制得直径75mm、重2.2kg的半绝缘GaAs单晶。典型电参数为:ρ300K≥10~7Ω·cm,μ300K=5380cm^2/V·s。经850℃热处理15分钟,Rs>10~7/□。利用本实验制得的半绝缘GaAs单晶,经外延、离子注入后制成的场效应管性能良好。
夏德谦陈宏毅
关键词:半绝缘单晶晶形GAAS
降低SI-GaAs单晶中碳含量的实验研究被引量:1
1991年
本文介绍了在国产高压单晶炉中,采取PBN涂层掩蔽碳的措施,利用LEC生长法,生长含碳量低的优质SI-GaAs单晶的工艺和实验结果.结合国内外LEC法生长SI-GaAs单晶降低碳含量的研究报道,讨论了环境中碳杂质沾污的机理及碳对SI-GaAs;单晶性能的影响.
谢自力夏德谦陈宏毅朱志明
关键词:SIGAAS晶体碳含量
共1页<1>
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