史春伟
- 作品数：2 被引量：14H指数：2
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究被引量：6
- 2008年
- 介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。
- 李震胡小燕史春伟朱西安
- 关键词：ICP接触孔干法刻蚀碲镉汞
- 中波碲镉汞p-on-n高温工作技术研究被引量：8
- 2020年
- 针对碲镉汞中波p-on-n技术进行研究,采用二次离子质谱仪分析注入后及退火后As离子在碲镉汞材料中的浓度分布,使用透射电镜表征激活退火后离子注入损伤修复状态,通过半导体参数测试仪评价pn结的IV特性,将探测器芯片装在变温杜瓦中测试其不同温度下的焦平面技术指标。研究结果表明,As离子注入后在碲镉汞体内形成大量缺陷,经过富汞退火后缺陷得到修复,同时As离子进一步向内扩散,制备的pn结工作稳定表明As离子得到有效激活,制备的中波p-on-n探测器芯片在120 K温度下有效像元率可以达到99%以上。
- 陈慧卿史春伟胡尚正孙海燕王成刚孙浩
- 关键词：碲镉汞
