王艳
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CCD图像传感器划片工艺优化被引量：1
- 2015年
- 针对某型CCD图像传感器划片过程中产生的静电损伤、崩边等缺陷造成器件失效,通过优化划片工艺条件,避免了静电损伤,减少了崩边缺陷,封装的成品率由48%提高至96%。
- 谷顺虎王艳程顺昌陈于伟
- 关键词：CCD图像传感器划片静电损伤
- 长线阵12000元CCD密封技术研究被引量：2
- 2010年
- 针对长线阵12000元CCD封装密封技术进行了探讨,比较了目前封装中的几种主流封盖技术的特点,表明采用胶封技术在目前对CCD来说是一种合理选择。针对紫外胶A,进行了胶封工艺的开发。对氟油粗检漏技术进行了分析,最终采用了一种新的氦气加压常温气泡检漏法对器件的密封效果进行考核检测。
- 钟四成陈于伟程顺昌王艳
- 关键词：密封
- FPA探测器微细间隙填充工艺研究被引量：1
- 2013年
- 介绍了倒焊器件填充工艺原理,分析了胶水粘度、放置时间、填充温度和填充速度对填充效果的影响。在常温条件下,选用的胶水放置时间不超过1h,填充速度为0.20mg/min时,FPA(焦平面阵列)探测器有效区域的填充率达到100%,测试合格率大于95%。
- 董绪丰李政王艳
- 关键词：下填充焦平面阵列
- Pt_xIr_(1-x)Si/p-Si红外探测器的研制
- 2009年
- 使用超高真空磁控溅射系统在p—Si上制备了铂铱硅（PtxIr1-xSi）薄膜，并制作了PtxIr1-xSi／p-Si红外探测器，研究了探测器在3～5btm波段的特性，结果表明，PtxIr1-xSi／p-Si势垒高度为0．177eV，相应红外探测器截止波长为7．0μm。与普通铂硅红外探测器相比，铂铱硅红外探测器在3～5μm中波红外波段响应明显增强。
- 李华高刘慧白雪平刘英丽王艳
- 关键词：肖特基势垒红外探测器焦平面阵列
- CCD表面暗电流特性研究被引量：4
- 2014年
- 针对电荷耦合器件表面暗电流的温度特性和辐照特性进行了研究。研究结果表明,在不同温度下,表面暗电流不仅是CCD总暗电流的主要来源,且是CCD暗电流非均匀性的主要影响因素;CCD栅介质的硅-二氧化硅界面态密度随辐照剂量的增加而增加,导致CCD表面暗电流显著增加,是CCD经辐照后暗电流变大的主要影响因素。
- 雷仁方王艳高建威钟玉杰
- 关键词：界面态密度温度辐照
- 胶封器件密封失效分析被引量：3
- 2011年
- 对采用胶粘剂密封盖板的CCD器件密封失效现象进行了失效分析,得到了主要的失效原因:水气、胶黏剂的混合以及固化程序,并通过改进措施,使CCD器件的密封合格率得到大幅提升,达到了98%,表明胶封工艺达到了实用化水平。
- 程顺昌王艳黄芳陈雯静林珑君
- 关键词：电荷耦合器件
