程顺昌
- 作品数：10 被引量：13H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 长线阵12000元CCD密封技术研究被引量：2
- 2010年
- 针对长线阵12000元CCD封装密封技术进行了探讨,比较了目前封装中的几种主流封盖技术的特点,表明采用胶封技术在目前对CCD来说是一种合理选择。针对紫外胶A,进行了胶封工艺的开发。对氟油粗检漏技术进行了分析,最终采用了一种新的氦气加压常温气泡检漏法对器件的密封效果进行考核检测。
- 钟四成陈于伟程顺昌王艳
- 关键词：密封
- CCD图像传感器划片工艺优化被引量：1
- 2015年
- 针对某型CCD图像传感器划片过程中产生的静电损伤、崩边等缺陷造成器件失效,通过优化划片工艺条件,避免了静电损伤,减少了崩边缺陷,封装的成品率由48%提高至96%。
- 谷顺虎王艳程顺昌陈于伟
- 关键词：CCD图像传感器划片静电损伤
- 试验设计方法在超声楔形焊工艺优化中的应用被引量：1
- 2013年
- 采用实验设计方法对超声楔形焊引线键合工艺进行实验设计,研究了超声功率、键合压力和键合时间对键合强度的影响,得到了拟合程度好的统计模型和优化后的超声楔形焊工艺参数。在最优的工艺条件下,键合质量得到了提高。
- 程顺昌王晓强吕玉冰谷顺虎
- 关键词：统计模型
- CCD抗晕结构的设计和制作被引量：3
- 2011年
- 强光照射时,CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象,严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD,详细阐述了其抗晕结构的设计和制作方法,采用该方法制作的CCD能够达到500倍的抗晕能力。
- 钟四成程顺昌王晓强
- 关键词：光晕
- 大面阵CCD自动键合参数优化被引量：2
- 2011年
- CCD键合工艺要求硅铝丝依次在Au焊盘和Al焊盘上完成一、二焊的超声键合。文章分别以Au焊盘和Al焊盘为研究对象,通过调整键合中的超声功率和线弧高度参数,在超声功率为20%～50%、线弧高度为1 000～1 800μm范围内,设定48组不同的实验条件进行键合,以键合后拉力测试结果为表征量,采用工序能力指数(Cpk)的统计方法进行归纳比较,从中选取最优实验参数用于大面阵CCD键合工艺,以达到优化键合参数的目的。
- 董绪丰陈扬程顺昌
- 关键词：电荷耦合器件键合超声功率工序能力指数
- 有限元分析在CCD制冷封装设计中的应用
- 2015年
- 采用有限元分析方法对制冷封装CCD工作在低温时光窗外表面温度过低产生露珠的现象进行了研究,分析了光窗与芯片表面(冷端)不同距离时光窗的最低温度以及内部填充不同气体时光窗的最低温度。通过有限元分析得到了光窗不产生露珠时的最优封装设计结构。
- 程顺昌朱虹姣陈于伟谷顺虎
- 关键词：有限元分析露珠封装设计
- 胶封器件密封失效分析被引量：3
- 2011年
- 对采用胶粘剂密封盖板的CCD器件密封失效现象进行了失效分析,得到了主要的失效原因:水气、胶黏剂的混合以及固化程序,并通过改进措施,使CCD器件的密封合格率得到大幅提升,达到了98%,表明胶封工艺达到了实用化水平。
- 程顺昌王艳黄芳陈雯静林珑君
- 关键词：电荷耦合器件
- 酒精粗检漏在CCD中的应用被引量：1
- 2012年
- 针对酒精粗检漏试验中所遇到的一些问题,阐述了应当采用何种手段来确保整个粗检漏试验过程中,不会因为干扰因素而对试验结果进行误判。
- 李晓潮王钢荣吴琼瑶程顺昌王微频
- 关键词：电荷耦合器件密封
- 硅基紫外增强型光电二极管的研制
- 2021年
- 详细介绍了器件结构设计和制作工艺,描述了采用低能离子注入、高温快速热处理等工艺技术,研制出高性能硅基紫外增强型PIN光电二极管。对器件暗电流和光谱特性等进行了测试分析。实验结果表明,探测器暗电流小于1.0nA(V_(R)=100V),响应度达到0.13A/W(λ=250nm),响应时间约5.5ns(V_(R)=15V),量子效率在波长220~360nm范围内达到50%~70%。
- 黄烈云程顺昌刘钟远向荣珍龙雨霞任利平
- 关键词：PIN光电二极管暗电流响应度
- CCD含氯氧化工艺仿真校准研究
- 2012年
- 通过对含氯氧化在线实验结果和工艺仿真结果进行对比,并进行仿真工艺校准,发现采用氯含量相同的仿真校准结果较之等物质量仿真校准结果与实际工艺实验结果相吻合。对氯含量相同氧化校准模型进行了不同温度、不同氧化方式的验证,仿真结果与在线实验结果相吻合,并利用该模型对CCD工艺制作中含氯氧化进行了仿真,仿真结果与CCD工艺制作测试数据相一致。
- 钟玉杰王小强许青程顺昌李睿智
- 关键词：仿真校准电荷耦合器件
