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陈汉军

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:西南交通大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇导电
  • 1篇导电陶瓷
  • 1篇电学
  • 1篇电阻
  • 1篇压敏电阻
  • 1篇陶瓷
  • 1篇热电性能
  • 1篇微观结构
  • 1篇功率因子
  • 1篇WO
  • 1篇WO3
  • 1篇
  • 1篇CUO

机构

  • 2篇西南交通大学

作者

  • 2篇陈汉军
  • 1篇董亮
  • 1篇李统业
  • 1篇王豫
  • 1篇赵洪旺
  • 1篇花中秋
  • 1篇王大为
  • 1篇董翔

传媒

  • 2篇功能材料

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
锌钛掺杂三氧化钨陶瓷的热电性能
2015年
利用传统工艺制备TiO2以及ZnO 掺杂的WO3陶瓷,利用X射线衍射以及扫描电镜对其微观结构进行分析,并且在273-973K 进行热电性能的测量,发现晶粒尺寸有着微小的变化,而且有第二相的生成.所有不同浓度的样品在测量范围内均为负值,说明仍是n型氧化物热电材料. 实验发现掺杂浓度为0.5%(摩尔分数),温度达到973K 时有着最高的功率因子为0.052μW/m·K2.
陈汉军王大为董翔
关键词:功率因子热电性能微观结构
CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学性能的影响被引量:2
2009年
研究了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备。微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析。结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒生长。根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率。CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒。
赵洪旺花中秋李统业陈汉军董亮王豫
关键词:压敏电阻导电陶瓷WO3CUO
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