花中秋
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 供职机构：西南交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 淬火工艺对纳米前驱体三氧化钨功能陶瓷伏安特性的影响被引量：1
- 2009年
- 采用自制纳米三氧化钨粉末为原料,以淬火工艺制得纳米基三氧化钨陶瓷。通过I-V特性测量、显微结构和相结构分析,研究了在不同的温度下淬火三氧化钨陶瓷的伏安特性,结果表明较低温度淬火可以使样品的非线性系数提高到10.93,但随着淬火温度(开始淬火温度)的提高,样品的非线性系数急剧下降,当高于900℃淬火时,样品的电学行为转变为线性,非线性系数约为1。对其进行阻抗谱测量,结合相结构与电学行为的关系,认为相结构的不同造成晶界电阻及势垒的不同,改变了电输运特性,从而使其电学行为改变。
- 郭娜花中秋李统业董亮王豫
- 关键词：淬火工艺伏安特性
- 稀土氧化掺杂对三氧化钨陶瓷微观结构和电学特性影响的研究
- 论文总结了压敏电阻材料研究与发展现状,着重强调了低压压敏电阻材料研究和开发的重要意义。通过对比传统低压电阻材料,阐明了三氧化钨(WO3)陶瓷作为低压压敏材料的优势,分析了WO3压敏陶瓷研究和开发所存在的主要问题。文章以未...
- 花中秋
- 关键词：压敏电阻致密性压敏特性
- 文献传递
- 稀土氧化物掺杂对三氧化钨陶瓷微观结构和电学特性影响的研究
- 论文总结了压敏电阻材料研究与发展现状,着重强调了低压压敏电阻材料研究和开发的重要意义。通过对比传统低压电阻材料,阐明了三氧化钨(WO3)陶瓷作为低压压敏材料的优势,分析了WO3压敏陶瓷研究和开发所存在的主要问题。文章以未...
- 花中秋
- 关键词：压敏电阻掺杂致密性压敏特性
- 文献传递
- 三氧化钨陶瓷非线性伏安特性研究被引量：3
- 2010年
- 采用传统陶瓷工艺制备了三氧化钨(WO3)陶瓷,研究了淬火工艺和气氛条件下热处理对WO3陶瓷非线性特性的影响。XRD和SEM微结构分析显示,陶瓷样品经不同气氛下的热处理后,微结构特征没有发生变化;电学测量表明,陶瓷样品的电学特性发生了显著的变化,高温下淬火和淬火后在N2,Ar气氛条件处理的样品,表现出线性小电阻行为,而正常烧结和在富氧条件下处理的淬火样品则呈现出明显的非线性行为。根据实验结果认为,WO3陶瓷非线性特性可能起源于陶瓷冷却过程中,晶粒内外非平衡缺陷形成和迁移而产生的晶界势垒。
- 花中秋王海庆赵洪旺董亮王豫
- 关键词：非线性势垒
- CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学性能的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备。微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析。结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒生长。根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率。CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒。
- 赵洪旺花中秋李统业陈汉军董亮王豫
- 关键词：压敏电阻导电陶瓷WO3CUO
- 三氧化钨陶瓷压敏行为研究进展
- 三氧化钨(WO3)基陶瓷具有良好的压敏特性,由于同时具有较低的压敏电压和较高的介电常数,WO3陶瓷还是一种优良的压敏—电容复合材料。因此WO3陶瓷将会在低压电子电路中取得重要的应用价值。但是由于国内外对WO3陶瓷压敏行为...
- 花中秋王海庆王豫
- 三氧化钨陶瓷的压敏特性和机理被引量：1
- 2010年
- 采用传统电子陶瓷烧结工艺,制备了无掺杂物的三氧化钨(WO3)陶瓷。分析了陶瓷样品经淬火和不同气氛下处理后的微结构和压敏电学特性。研究表明:陶瓷冷却过程中在氧吸附的作用下,WO3陶瓷晶粒表面呈现氧元素富集。分析认为,晶粒表面吸附的氧与晶粒内的电子作用,在晶粒表面形成界面态,并进一步在晶界形成Schottky势垒,这可能是WO3陶瓷压敏行为的起源。根据实验结果,提出了一种修正的晶界Schottky势垒模型,解释了WO3陶瓷的压敏行为。
- 花中秋王海庆赵洪旺董亮王豫
