李统业
- 作品数：13 被引量：9H指数：2
- 供职机构：西南交通大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金四川省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信化学工程机械工程更多>>
- 新型氧化镨压敏电阻电学行为分析
- 根据传统烧结工艺在不同的烧结温度下制备了纯氧化镨陶瓷,在不同样品中都首次发现了明显的非线性电学行为,并且正向偏压区域和负向偏压区域的非线性曲线是对称的。此外,非线性电学行为是稳定的,随着环境温度的提高,转变电压和非线性系...
- 李统业王豫董亮
- 关键词：陶瓷材料氧化物陶瓷伏安特性压敏电阻
- 材料高温无压力电学性能测量系统
- 本发明公开了一种材料高温无压力电学性能测量系统，在高温下实现材料的电学性能的无压测量，在炉式加热系统中设置一改善被测试样与测量电极接触条件的液态电极夹持机构；所述液态电极夹持机构为一对垂直相对的铂电极组成，其中上电极为螺...
- 赵洪旺李统业王豫郭娜赵勇
- 文献传递
- Sb_2O_3掺杂对Pr_6O_11压敏电阻微结构和电学性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用传统陶瓷工艺制备了Sb2O3掺杂的Pr6O11压敏电阻,并利用现代分析测试技术对其微结构和电学性能进行了研究。样品的相结构比较简单,除了Pr6O11主相外,未发现明显的第二相。样品的相对密度及晶粒尺寸随着Sb2O3掺杂量的提高而降低。非线性系数、压敏电压和晶界电阻都呈现出先降低后增加的趋势,非线性系数最高可达134。分析表明,Sb掺杂不与Pr6O11发生固相反应,其高温分解所产生的蒸汽压会降低Pr6O11压敏电阻的相对密度、晶粒尺寸及势垒高度,电学性能的变化要归结于相对密度、晶粒尺寸及势垒高度的共同作用。
- 王秀芳李统业
- 关键词：压敏电阻氧吸附SB2O3
- 制备纳米三氧化钨粉末的方法
- 本发明公开了一种制备纳米三氧化钨纳米粉末的方法，优质高效生产纳米WO<Sub>3</Sub>粉末，包含以下的步骤：氨水(13.4mol/L～15mol/L)与去离子水以1∶1配成所需氨水溶液，将钨酸溶于配制好的氨水溶液，...
- 郭娜王豫羊新胜刘旭李统业张英李德柱董亮赵勇
- 文献传递
- 淬火工艺对纳米前驱体三氧化钨功能陶瓷伏安特性的影响被引量：1
- 2009年
- 采用自制纳米三氧化钨粉末为原料,以淬火工艺制得纳米基三氧化钨陶瓷。通过I-V特性测量、显微结构和相结构分析,研究了在不同的温度下淬火三氧化钨陶瓷的伏安特性,结果表明较低温度淬火可以使样品的非线性系数提高到10.93,但随着淬火温度(开始淬火温度)的提高,样品的非线性系数急剧下降,当高于900℃淬火时,样品的电学行为转变为线性,非线性系数约为1。对其进行阻抗谱测量,结合相结构与电学行为的关系,认为相结构的不同造成晶界电阻及势垒的不同,改变了电输运特性,从而使其电学行为改变。
- 郭娜花中秋李统业董亮王豫
- 关键词：淬火工艺伏安特性
- 固相合成法制备ZrW2O8陶瓷及其电学行为研究
- 2009年
- 按Zr和W的原子比为1∶2.1,通过固相反应技术,在1200℃加热24h,然后在冰水中快速冷却,得到立方晶相的ZrW2O8产物,XRD分析表明产物的纯度很高,基本上没有杂项,对样品的电学性能进行了测试,用物性测量系统PPMS测量了在T=39800A/m下样品的磁化率(M)随温度的变化,经过分析表明,样品在15和250K左右出现的磁化率明显变化和WO3的相转变温度吻合。
- 董亮王豫严仲明李统业李德柱
- 关键词：ZRW2O8磁化率相变
- 制备纳米三氧化钨粉末的方法
- 本发明公开了一种制备纳米三氧化钨纳米粉末的方法，优质高效生产纳米WO<Sub>3</Sub>粉末，包含以下的步骤：氨水(13.4mol/L～15mol/L)与去离子水以1∶1配成所需氨水溶液，将钨酸溶于配制好的氨水溶液，...
- 郭娜王豫羊新胜刘旭李统业张英李德柱董亮赵勇
- 文献传递
- Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质被引量：2
- 2009年
- 在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.
- 董亮王豫李德柱李统业严仲明
- 关键词：CE掺杂WO3薄膜磁控溅射显微结构电学性质
- 氧化铽的用途
- 本发明公开了氧化铽的一种用途，它是将氧化铽粉末压片、烧结后用于制作压敏电阻的材料。用其制作的压敏电阻的转变电压低，能量吸收能力强，介电性能好。
- 李统业王豫赵勇董亮郭娜
- 文献传递
- CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学性能的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备。微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析。结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒生长。根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率。CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒。
- 赵洪旺花中秋李统业陈汉军董亮王豫
- 关键词：压敏电阻导电陶瓷WO3CUO
