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赵洪旺

作品数:5 被引量:5H指数:2
供职机构:西南交通大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电阻
  • 2篇压敏电阻
  • 1篇导电
  • 1篇导电陶瓷
  • 1篇电极
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性能
  • 1篇压敏特性
  • 1篇氧化钨
  • 1篇氧化物
  • 1篇三氧化钨
  • 1篇势垒
  • 1篇陶瓷
  • 1篇夹持机构
  • 1篇非线性
  • 1篇高温
  • 1篇WO
  • 1篇WO3
  • 1篇CUO

机构

  • 5篇西南交通大学

作者

  • 5篇赵洪旺
  • 4篇王豫
  • 3篇董亮
  • 3篇花中秋
  • 2篇李统业
  • 2篇王海庆
  • 1篇郭娜
  • 1篇赵勇
  • 1篇陈汉军

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
三氧化钨陶瓷非线性伏安特性研究被引量:3
2010年
采用传统陶瓷工艺制备了三氧化钨(WO3)陶瓷,研究了淬火工艺和气氛条件下热处理对WO3陶瓷非线性特性的影响。XRD和SEM微结构分析显示,陶瓷样品经不同气氛下的热处理后,微结构特征没有发生变化;电学测量表明,陶瓷样品的电学特性发生了显著的变化,高温下淬火和淬火后在N2,Ar气氛条件处理的样品,表现出线性小电阻行为,而正常烧结和在富氧条件下处理的淬火样品则呈现出明显的非线性行为。根据实验结果认为,WO3陶瓷非线性特性可能起源于陶瓷冷却过程中,晶粒内外非平衡缺陷形成和迁移而产生的晶界势垒。
花中秋王海庆赵洪旺董亮王豫
关键词:非线性势垒
CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学性能的影响被引量:2
2009年
研究了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备。微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析。结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒生长。根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率。CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒。
赵洪旺花中秋李统业陈汉军董亮王豫
关键词:压敏电阻导电陶瓷WO3CUO
材料高温无压力电学性能测量系统
本发明公开了一种材料高温无压力电学性能测量系统,在高温下实现材料的电学性能的无压测量,在炉式加热系统中设置一改善被测试样与测量电极接触条件的液态电极夹持机构;所述液态电极夹持机构为一对垂直相对的铂电极组成,其中上电极为螺...
赵洪旺李统业王豫郭娜赵勇
文献传递
三氧化钨陶瓷的压敏特性和机理被引量:1
2010年
采用传统电子陶瓷烧结工艺,制备了无掺杂物的三氧化钨(WO3)陶瓷。分析了陶瓷样品经淬火和不同气氛下处理后的微结构和压敏电学特性。研究表明:陶瓷冷却过程中在氧吸附的作用下,WO3陶瓷晶粒表面呈现氧元素富集。分析认为,晶粒表面吸附的氧与晶粒内的电子作用,在晶粒表面形成界面态,并进一步在晶界形成Schottky势垒,这可能是WO3陶瓷压敏行为的起源。根据实验结果,提出了一种修正的晶界Schottky势垒模型,解释了WO3陶瓷的压敏行为。
花中秋王海庆赵洪旺董亮王豫
钨基氧化物电学特性的变温测量与相关分析
三氧化钨(WO3)是一种具有广泛应用前景的功能材料,在电致变色、气体传感和化学催化等方面已得到较为系统的研究。近几年来,人们又发现WO3陶瓷呈现出良好的以低电压小电流为特征的非线性电学行为,有望在微电子领域得到应用。然而...
赵洪旺
关键词:压敏电阻三氧化钨淬火处理
文献传递
共1页<1>
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