李佳
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
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- CCD亚微伏电荷转换因子结构的设计与验证被引量：1
- 2022年
- 设计了大尺寸输出节点和大尺寸放大器栅电容的CCD特殊输出结构,使输出节点总电容约为4.5×10;F,对设计结构进行了工艺试验。对输出节点电容进行参数校准、结构优化、流片试验、测试验证。试验结果表明,优化设计后的CCD电压转换因子精确地达到了0.352μV/e^(-),满足了航天系统紫外线阵CCD满阱容量需达到1.0×10;e;/pixel量级,饱和输出幅度在3.5~4 V范围,CCD的电压转换因子在0.35μV/e;亚微伏水平(比传统CCD低1~2个数量级)的特殊输出结构要求。
- 王小东汪朝敏李佳涂戈李金
- 关键词：电荷耦合器件
- 像元级倍增CCD结构的设计与验证
- 2022年
- 在CCD像元内集成了由重掺杂PN结组成的APD结构,使CCD的像元具备了雪崩倍增功能。CCD实现像元级倍增,可使探测信号从探测器的探测端被增大,可提高探测器的探测灵敏度。进行了像元结构仿真、工艺仿真、像元倍增结构设计等工作,设计了512(V)×512(H)阵列规模的像元级倍增CCD,开展了工艺流片、工艺优化、封装测试等工作,验证了CCD的像元倍增功能。
- 王小东刘昌举涂戈李佳
- 关键词：电荷耦合器件光电探测器件
- 大阵列CCD光刻图形拼接技术研究被引量：3
- 2015年
- 针对大阵列CCD工艺制作过程中光刻大面积图形曝光的需求,提出了一种适用于光刻拼接的图形补偿方法。图形拼接处进行相反的补偿设计0.3μm"凹陷",曝光时拼接交叠0.3μm。光刻后,图形拼接处平滑、自然过渡,图形整体上拼接自然,较好地解决了光刻大面积图形曝光存在的固有图形缺陷问题,改善了光刻曝光图形的质量。
- 李佳高建威袁安波杨修伟杨洪
- 关键词：CCD光刻
- CCD光刻图形缺陷的形成及消除措施
- 2014年
- 描述了CCD光刻过程中出现的常见缺陷及其分类。对光刻过程中缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程中容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到消除缺陷的目的,使工艺能力得到提升。
- 吴可雷仁方李佳
- 关键词：CCD光刻
