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王玉田

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：国家光电子工艺中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇低阈值
  • 1篇湿法
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇势垒
  • 1篇双势垒
  • 1篇铟镓砷
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇激光器特性
  • 1篇光栅
  • 1篇干法
  • 1篇XGA
  • 1篇AL
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇MQW
  • 1篇Z
  • 1篇AS

机构

  • 3篇国家光电子工...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 3篇王玉田
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇陈博
  • 1篇张静媛
  • 1篇朱洪亮
  • 1篇马朝华
  • 1篇王志杰
  • 1篇郑联喜
  • 1篇王圩
  • 1篇张济志
  • 1篇金才政
  • 1篇周帆
  • 1篇王小军
  • 1篇王启明

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇光子学报
  • 1篇第五届全国固...

年份

  • 2篇1997
  • 1篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP压、张应变交替MQW激光器特性被引量：1
1997年
本文国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X－ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征．在此材料基础之上制作的宽接触激光器阈值电流密度小于300A／cm2（腔长800μm），平面掩埋条形结构激光器平面掩埋异质结（PBH）条形结构多量子阱激光器阈值电流13～15mA.经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆王玉田金才政马朝华
关键词：低阈值激光器MOCVD铟镓砷MQW
采用湿法刻蚀方法清除干法刻制亚微米光栅所引起的表面损伤
张静媛王玉田
关键词：光栅湿法刻蚀
优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量
1997年
一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的InxGa1-xAs缓冲层的MOCVD生长．在这种InxGa1-xAs缓冲层上生长的InyGa1-yAs／AlzGa1-zAs／GaAs／AlzGa1-xAs双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质．超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰，表明超晶格界面质量很好．主要应用X射线双晶衍射方法，给出了样品中各层的应变状态．据此，合理地解释了样品的光学测试结果．
王小军郑联喜肖智博王玉田胡雄伟王启明
关键词：MOCVD生长
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共1页<1>
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