您的位置: 专家智库 > >

何旭

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝陶瓷
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极型...
  • 1篇射频
  • 1篇射频接收
  • 1篇矢量
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇陶瓷
  • 1篇无线
  • 1篇无线局域
  • 1篇无线局域网
  • 1篇误差矢量幅度
  • 1篇线性功率
  • 1篇线性功率放大...
  • 1篇接收前端
  • 1篇晶体管
  • 1篇局域

机构

  • 2篇南京电子器件...
  • 1篇南京国博电子...

作者

  • 2篇何旭
  • 1篇黄贞松
  • 1篇杨磊
  • 1篇陈新宇
  • 1篇朱彦青

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇现代信息科技

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器被引量:3
2015年
设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=+5V、VReg=VPdown=+2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM(误差矢量幅度)值小于3%(输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s),可以满足WLAN应用对线性度的需求。
何旭郑远朱彦青陈新宇杨磊
关键词:无线局域网线性功率放大器异质结双极型晶体管误差矢量幅度
一种高集成射频接收前端模块被引量:1
2017年
一种采用氮化铝陶瓷基板、PIN二极管芯片,砷化镓(Ga As)单片LNA,应用MCM(多芯片模块)微组装技术设计的高集成射频接收前端模块,在1~3.5GHz频带内发射通路插入损耗小于0.4d B,可通过CW功率100W,接收通路(带开关)NF小于2.0d B,增益大于28d B,OIP3大于35d Bm。模块为尺寸5mm×5mm×1.2mm的QFN封装,大幅减小了一般射频接收前端电路物理尺寸,可广泛应用于TD-SCDMA和TD-LTE系统。
匡珩梁庆山何旭黄贞松
关键词:氮化铝陶瓷MCM接收前端
共1页<1>
聚类工具0