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许健

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电器件
  • 1篇真空
  • 1篇真空封装
  • 1篇阻抗匹配
  • 1篇谐振频率
  • 1篇密封
  • 1篇金属外壳
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇封装
  • 1篇高频
  • 1篇高频特性
  • 1篇TO封装
  • 1篇储能焊

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇许健
  • 1篇袁中朝
  • 1篇崔大健
  • 1篇姚科明
  • 1篇黎小刚

传媒

  • 2篇电子与封装

年份

  • 2篇2016
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
光电器件用金属外壳高频性能的改进
2016年
金属外壳对光电器件的微波高频特性有重要的影响。从金属外壳的内腔结构和传输线过渡结构两个方面,对光电器件的高频特性进行改进。通过对金属外壳内腔的几何结构、传输线过渡结构进行改进,成功地将器件的衰减尖峰从14.5 GHz移至3 d B带宽之外的19.1 GHz,使器件的3 d B带宽提高了1 GHz。
袁中朝许健崔大健姚科明
关键词：高频特性谐振频率阻抗匹配
TO型封装的真空储能焊密封工艺研究被引量：3
2016年
研制了一种采用储能焊实现TO型封装半导体器件的真空密封装置。该装置由叠形波纹管、密封圈及气室外壳的配合形成上、下气室,利用磁铁同性相斥原理将待密封的管帽与管座分离及定位,达到抽真空时充分排气的目的。实验探索了TO器件的真空封装工艺,一次压力为0.4 MPa、二次压力为0.6 MPa、充电电压为350 V时封口质量最好。对密封后的器件进行了焊接强度及气密性测试,封口强度高,无漏气现象。
黎小刚许健
关键词：真空封装储能焊TO封装
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共1页<1>
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