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文献类型

  • 8篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇制冷
  • 4篇半导体
  • 3篇电荷耦合
  • 3篇制冷器
  • 3篇封装
  • 3篇半导体制冷
  • 3篇半导体制冷器
  • 2篇电荷耦合器
  • 2篇电荷耦合器件
  • 2篇短波
  • 2篇真空泵
  • 2篇致冷
  • 2篇陀螺
  • 2篇微型化
  • 2篇接入口
  • 2篇光电
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤陀螺
  • 2篇光源
  • 2篇封装结构

机构

  • 9篇中国电子科技...
  • 3篇重庆光电技术...
  • 1篇长春理工大学

作者

  • 12篇袁中朝
  • 3篇陈于伟
  • 2篇袁礼华
  • 2篇周勇
  • 1篇冯源
  • 1篇郝永芹
  • 1篇谭千里
  • 1篇崔大健
  • 1篇姚科明
  • 1篇董旭坤
  • 1篇许健
  • 1篇冯大伟
  • 1篇袁礼华

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇电子与封装
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2011
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用于倍增电荷耦合器件的封装结构
一种用于倍增电荷耦合器件的封装结构,其特征在于:它由制冷器安装腔、真空泵接口、半导体制冷器、PCB电路板、芯片、环形支架和盖板组成;前述各个部件均为分体式结构;所述半导体制冷器设置于制冷器安装腔内,制冷器安装腔上端面与P...
陈于伟程顺昌袁中朝
文献传递
磁控溅射工艺参数对金属薄膜性能的影响
2022年
溅射金属化技术由于其金属层附着力好,金属化层致密度高,是当前金属化工艺的主要方式。本文采用直流磁控溅射技术在蓝宝石基片表面制备Cr-Ni-Au结构的金属化复合薄膜,从理论和实验上研究分析了磁控溅射工艺参数对薄膜性能的影响;采用AFM、SEM等对膜层进行微观形貌及成膜质量的分析。研究表明:当本底真空度≥3×10-4Pa,基片温度为常温,Au的溅射功率为300W,溅射气压0.20Pa,热处理温度200℃时,蓝宝石上沉积的铬镍金复合膜层有较好结合力,且低温焊接性能良好。
董旭坤陈昌隆张胜南袁中朝袁礼华
关键词:磁控溅射金属薄膜工艺参数附着力
半导体制冷器散热结构
一种半导体制冷器散热结构,其结构为:所述半导体制冷器散热结构由支架、半导体制冷器、导热层、散热器和风扇组成;所述支架的上端面设置有内凹的凹槽,所述凹槽形成制冷器安装腔,半导体制冷器设置于制冷器安装腔内;所述支架的下端面与...
陈于伟程顺昌袁中朝
文献传递
用于倍增电荷耦合器件的封装结构
一种用于倍增电荷耦合器件的封装结构,其特征在于:它由制冷器安装腔、真空泵接口、半导体制冷器、PCB电路板、芯片、环形支架和盖板组成;前述各个部件均为分体式结构;所述半导体制冷器设置于制冷器安装腔内,制冷器安装腔上端面与P...
陈于伟程顺昌袁中朝
文献传递
微型化光纤陀螺用mini型无致冷短波SLD光源
本发明属于光电子器件领域,具体涉及一种微型化光纤陀螺用mini型无致冷短波SLD光源,包括光源外壳和锥形透镜光纤组件,光源外壳上下两个非对称地设置有固定孔,即两个固定孔分别在中心偏右或者中心偏左的位置,其中一个固定孔左右...
唐祖荣周勇夏阳袁中朝崔进
文献传递
光电器件用金属外壳高频性能的改进
2016年
金属外壳对光电器件的微波高频特性有重要的影响。从金属外壳的内腔结构和传输线过渡结构两个方面,对光电器件的高频特性进行改进。通过对金属外壳内腔的几何结构、传输线过渡结构进行改进,成功地将器件的衰减尖峰从14.5 GHz移至3 d B带宽之外的19.1 GHz,使器件的3 d B带宽提高了1 GHz。
袁中朝许健崔大健姚科明
关键词:高频特性谐振频率阻抗匹配
用于CCD相机真空封装的抽真空装置
一种用于CCD相机真空封装的抽真空装置,由阀芯和抽气阀组成;阀芯采用隐埋方式设置于CCD相机壳体上,抽气阀采用类似活塞的结构形式,由中间的牵引杆来控制阀芯的开/闭;本实用新型的有益技术效果是:抽真空装置隐埋在壳体外壁上,...
杨拓袁中朝刘永永
文献传递
天文望远镜电荷耦合器用降温装置
一种天文望远镜电荷耦合器用降温装置,由内筒、外筒、注氮管、连接筒、排气管、连接管、镜头组件、导热条、支架、托盘、导热柱、连接盘和镜筒组成;本发明的有益技术效果是:提供了一种新结构的天文望远镜电荷耦合器用降温装置,该装置结...
袁中朝袁礼华
文献传递
高强度带光窗光电外壳设计被引量:2
2011年
选取窗口结构强度相对较弱的圆形平面玻璃光窗外壳,就该类外壳最薄弱的带光窗管帽受力状态进行了有限元分析,根据强冲击下结构与应力的变化趋势优化设计了管帽结构,结果显示经结构优化的管帽能承受1×104 g的强冲击,满足光电器件封装的高强度要求。
袁礼华袁中朝谭千里
关键词:有限元分析
808nm网状电极高功率垂直腔面发射激光器
2011年
为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSEL。将VCSEL P面的注入电极由传统的环形结构改为网状结构并且热沉位于N面电极。实验制备了出光孔径同为500μm的传统环形电极和网状电极两种高功率VCSEL,并对器件的性能进行了对比测试。测试结果表明,网状电极结构高功率VCSEL相对传统环形电极结构高功率VCSEL器件具有良好的光电特性,室温下新结构高功率VCSEL的阈值电流为430mA,斜率效率为0.44mW/mA,电光转换效率可达21.7%,最大输出功率可达420mW,是传统结构高功率VCSEL输出功率的2.27倍。
冯大伟袁中朝冯源郝永芹
关键词:垂直腔面发射半导体激光器网状电极高功率
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