刘松
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用于三维集成电路的硅通孔互连高频电学模型
- 确分析应用于三维集成电路中硅通孔(Through Siliocn Via,TSV)的高频电学特性,本文在考虑TSV MOS效应的基础上,对提取TSV寄生参数的解析模型做了频率项修正.采用仿真工具分别验证了上述解析模型的精...
- 单光宝刘松杜欣荣
- 关键词：三维集成电路
- 三维微处理器设计基本方法及前景分析
- 2016年
- 介绍了三维处理器设计的基本内容,详细阐述了用于三维处理器中三维存储系统的设计方法及发展趋势,最后概括描述了目前三维处理器、三维存储系统设计中存在的问题,这将为国内三维处理器设计提供一定的借鉴.
- 怡磊单光宝肖建青刘松
- 关键词：TSV
- TSV立体集成计算机研究进展
- 2015年
- 分析硅通孔(through-silicon via,TSV)立体集成用于计算机处理芯片的优势.介绍TSV立体集成计算机处理器模块单元指令调度集、KS加法器和对数移位器等的发展现状,以及利用TSV立体集成技术的3D立体架构代替平面架构所带来的功耗降低和性能提升的巨大优势.
- 单光宝单雪岩刘松怡磊
- 关键词：TSV
- 一种改进的穿硅电容三维互连技术被引量：1
- 2017年
- 针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TSC互连电容耦合特性,结合传统收发电路与HSPICE仿真验证TSC互连在高频信号传输应用中的可行性。分析与仿真结果显示:TSC省去TSV背面通孔外露工艺可进一步降低成本及复杂工艺引入的可靠性隐患。采用孔半径2.5μm、孔高50μm单根TSC通道可实现15 Gbps高频信号传输,功耗约为0.045 mW/Gbps。研究表明,TSC互连是一种高可靠、低成本的三维互连结构,为实现高频三维集成电路(3D IC)提供一种可行的互连技术方案。
- 刘松单光宝
- 关键词：三维互连
