单光宝
- 作品数：15 被引量：17H指数：2
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 硅微陀螺仪的建模
- 2007年
- 提出了硅微陀螺仪的集总建模方法.该方法将硅微陀螺仪划分为多个相互关联的基本单元,各基本单元的行为特征被集总到单元的节点端口上,并表征为矩阵形式.将根据物体相对运动理论,从基本单元的解析方程出发,给出了建立硅微陀螺仪基本单元模型的一般方法,并以Verilog-A为模型编码语言实现了硅微陀螺仪参数化的基本单元模型.在Cadence Spectre上进行了仿真验证,频域仿真结果与ANSYS计算结果相差在1%以内;时域仿真结果表明利用该系统级模型能够快速进行复杂机电一体仿真.
- 单光宝杨银堂刘佑宝朱樟明
- 关键词：硅微陀螺仪
- 用于三维集成电路的硅通孔互连高频电学模型
- 确分析应用于三维集成电路中硅通孔(Through Siliocn Via,TSV)的高频电学特性,本文在考虑TSV MOS效应的基础上,对提取TSV寄生参数的解析模型做了频率项修正.采用仿真工具分别验证了上述解析模型的精...
- 单光宝刘松杜欣荣
- 关键词：三维集成电路
- 悬臂梁式硅微加速度传感器的设计仿真被引量：5
- 2003年
- 文章利用ANSYS软件对悬臂梁式硅微加速度传感器敏感芯片进行了设计仿真,给出了一种能满足:量程50g,精度10-3要求的硅微加速度传感器的结构,并对加工时可能引入的工艺误差所带来的影响进行了讨论。
- 单光宝魏海龙刘佑宝
- 关键词：仿真MEMS器件
- 悬臂梁式硅微加速度计的研制被引量：5
- 2005年
- 介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟。采用体硅“无掩膜”腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制。通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(311)面,通过控制所产生的(311)面对(111)面的侵削作用,获得了所需结构。为提高灵敏度和线性,该加速度计采用静电力反馈闭环控制方式,检测与处理电路采用高精度双极线性电路工艺进行了工艺流片。利用多芯片组装工艺进行了敏感芯片与一次集成的检测和处理电路的混合封装。经测试硅微加速度计性能为量程±50g,分辨率3×10–3g,非线性<5×10–4,质量为9.6g。
- 单光宝阮晓明姚军耿增建
- 关键词：电子技术MEMS硅微加速度计多芯片组装
- 微型硅加速度传感器
- 2003年
- 介绍微型硅加速度传感器的研制概况,阐述微型硅电容式加速度传感器的工作原理、制作工艺技术,并对封装后的测试结果进行分析与探讨。
- 王永录李兴凯单光宝
- 关键词：封装武器
- 三维微处理器设计基本方法及前景分析
- 2016年
- 介绍了三维处理器设计的基本内容,详细阐述了用于三维处理器中三维存储系统的设计方法及发展趋势,最后概括描述了目前三维处理器、三维存储系统设计中存在的问题,这将为国内三维处理器设计提供一定的借鉴.
- 怡磊单光宝肖建青刘松
- 关键词：TSV
- TSV立体集成计算机研究进展
- 2015年
- 分析硅通孔(through-silicon via,TSV)立体集成用于计算机处理芯片的优势.介绍TSV立体集成计算机处理器模块单元指令调度集、KS加法器和对数移位器等的发展现状,以及利用TSV立体集成技术的3D立体架构代替平面架构所带来的功耗降低和性能提升的巨大优势.
- 单光宝单雪岩刘松怡磊
- 关键词：TSV
- 激光退火工艺中表面图形/颗粒诱生的波纹研究
- 2014年
- 研究了激光退火工艺中由于硅片表面图形/颗粒诱生的波纹结构和形成波纹的临界能量,分析了波纹产生的机理,并提出了预防措施。使用原子力显微镜(AFM)观察波纹的形貌,通过俄歇电子能谱(AES)对形成波纹的纳米颗粒进行了分析,结果表明,在硅片表面颗粒周围形成水波状波纹,在氧化层图形边界随着氧化层窗口尺寸由小到大出现从水波状波纹到辐射状波纹的转变。波纹的形成是表面应力、表面散射波和边界效应综合作用的结果。表面图形/颗粒所诱生的源漏区表面波纹会引起器件性能的下降以及晶圆成品率的降低。激光退火前的晶圆制造工艺中应减少表面的颗粒或缺陷的产生,激光退火工艺中尽可能提高表面的光学一致性,避免将SiO2作为硬掩膜。
- 陈晓宇单光宝赵杰
- 关键词：激光退火
- TSV立体集成用Cu/Sn键合工艺被引量：1
- 2015年
- 为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究。基于Cu/Sn系二元合金平衡相图,分析了金属层间低温扩散反应机理,设计了微凸点键合结构并开展了键合工艺实验。通过优化键合工艺参数,获取了性能稳定的金属间化合物(IMC)层,且剪切力键合强度值达到了国家标准,具备良好的热、机械特性。将其应用到多芯片逐层键合工艺实验当中,成功获取了4层堆叠样品,验证了Cu/Sn等温凝固键合技术在TSV立体集成中的应用潜力。
- 张巍单光宝杜欣荣
- 关键词：低温键合
- 一种改进的穿硅电容三维互连技术被引量：1
- 2017年
- 针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TSC互连电容耦合特性,结合传统收发电路与HSPICE仿真验证TSC互连在高频信号传输应用中的可行性。分析与仿真结果显示:TSC省去TSV背面通孔外露工艺可进一步降低成本及复杂工艺引入的可靠性隐患。采用孔半径2.5μm、孔高50μm单根TSC通道可实现15 Gbps高频信号传输,功耗约为0.045 mW/Gbps。研究表明,TSC互连是一种高可靠、低成本的三维互连结构,为实现高频三维集成电路(3D IC)提供一种可行的互连技术方案。
- 刘松单光宝
- 关键词：三维互连
