姚军
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种具有双多晶的热电偶结构及其制作方法
- 本发明提供一种具有双多晶的热电偶结构及其制作方法，包括叠层双多晶和并列双多晶的热电偶结构，叠层双多晶热电偶结构中第一硅片的上表面制作有第一N型多晶硅条，之后淀积SiO<Sub>2</Sub>后制作与第一N型多晶硅条在垂直...
- 李照侯斌姚军王怡鑫臧继超
- 一种具有双多晶的热电偶结构及其制作方法
- 本发明提供一种具有双多晶的热电偶结构及其制作方法，包括叠层双多晶和并列双多晶的热电偶结构，叠层双多晶热电偶结构中第一硅片的上表面制作有第一N型多晶硅条，之后淀积SiO<Sub>2</Sub>后制作与第一N型多晶硅条在垂直...
- 李照侯斌姚军王怡鑫臧继超
- 文献传递
- 悬臂梁式硅微加速度计的研制被引量：5
- 2005年
- 介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟。采用体硅“无掩膜”腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制。通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(311)面,通过控制所产生的(311)面对(111)面的侵削作用,获得了所需结构。为提高灵敏度和线性,该加速度计采用静电力反馈闭环控制方式,检测与处理电路采用高精度双极线性电路工艺进行了工艺流片。利用多芯片组装工艺进行了敏感芯片与一次集成的检测和处理电路的混合封装。经测试硅微加速度计性能为量程±50g,分辨率3×10–3g,非线性<5×10–4,质量为9.6g。
- 单光宝阮晓明姚军耿增建
- 关键词：电子技术MEMS硅微加速度计多芯片组装
- 一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构
- 本发明公开了一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构；碳化硅N+衬底的下表面为阴极金属，碳化硅N+衬底上为N型缓冲层和N‑外延层，N型缓冲层的浓度大于N‑外延层的浓度，N‑外延层的上表面内间隔均匀分布P+，N‑外...
- 程鹏刚唐磊王忠芳杨晓文刘建军杨庚王昕王晨霞黄山圃姚军王健
- 利用'掩膜-无掩膜'腐蚀技术制作硅微加速度计
- 本文介绍了体硅'掩膜-无掩膜'腐蚀的工作原理;以摆片式硅微加速度计敏感芯片的制作为例详细介绍了'掩膜-无掩膜'的工艺流程;利用该方法成功制作出摆片式硅微加速度传感器的对称梁-质量块结构.经测试该加速度计性能如下:量程±5...
- 单光宝姚军阮晓明王永录
- 关键词：掩膜硅微加速度计MEMS
- 文献传递
- 一种低漏电晶体管结构及其制作方法
- 本发明提供一种低漏电晶体管结构及其制作方法，包括衬底和设置于衬底上的外延层，所述外延层内设置有基区，所述基区内部设置有发射区，发射区周围且位于基区上部区域，以及外延层靠近基区的顶部区域设置有浓基区；所述浓基区和基区共同构...
- 李照侯斌赵帆杨晓文程鹏刚胡长青姚军刘威黄山圃
- 一种提高抗单粒子性能的埋SiO2 SiC JBS结构
- 本发明提供一种提高抗单粒子性能的埋SiO2SiC JBS结构，包括阴极金属和阳极金属，以及依次设置于阴极金属和阳极金属之间的多级N型缓冲层，所述多级N型缓冲层靠近阴极金属一侧设置有SiC N+衬底，靠近阳极金属一侧依次设...
- 程鹏刚唐磊王晨霞王忠芳杨晓文刘建军张文鹏王昕黄山圃鲁红玲姚军
