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徐波

作品数：3 被引量：24H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：中国电子科技集团公司创新基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单刀双掷
  • 1篇单刀双掷开关
  • 1篇氮化镓
  • 1篇频段
  • 1篇气密性封装
  • 1篇钎焊
  • 1篇耦合线
  • 1篇吸收式
  • 1篇开关
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇毫米波
  • 1篇毫米波频段
  • 1篇放大器
  • 1篇封装
  • 1篇X波段
  • 1篇MMIC
  • 1篇插损

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇徐波
  • 2篇沈宏昌
  • 1篇钱峰
  • 1篇陶洪琪
  • 1篇韩群飞
  • 1篇胡进
  • 1篇姚立华
  • 1篇吴礼群
  • 1篇蔡昱
  • 1篇张巍

传媒

  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇微波学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
毫米波低插损吸收式开关
本发明公开了毫米波低插损吸收式开关，涉及毫米波开关器件，属于基本电气元件的技术领域。该吸收式开关包含多个级联的耦合线单元，每个耦合线单元都包括：耦合线、第一控制元件、第二控制元件、第一匹配电路、第二匹配电路，通过控制元件...
沈宏昌韩群飞陈庆徐波
文献传递
GaN HEMT工艺的X波段发射前端多功能MMIC被引量：3
2017年
采用0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款X波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率。测试结果表明,在8~12 GHz频带内,芯片发射通道饱和输出功率为38.6~40.2 d Bm,功率附加效率为29%~34.5%,其中开关插入损耗约为0.8 d B,隔离度优于-45d B。该芯片面积为4 mm×2.1 mm。
徐波戈勤沈宏昌陶洪琪钱峰
关键词：氮化镓功率放大器单刀双掷开关
采用金锡合金的气密性封装工艺研究被引量：21
2010年
根据功率器件的气密性封装要求,设计了完整的金锡封焊工艺方法和流程,研究了工艺中的技术难点,提出了确保封装工艺稳定性和可靠性的技术要点。实验选用Au80Sn20预成型焊环作为封接材料对器件进行气密性封装。通过大量试验得出了最佳工艺曲线(包括温度、时间、气氛和压力等)。密封后的产品在经受各项环境试验和机械试验后,其结构完整性、电学特性、机械牢固性和封装气密性均能很好地满足要求,证明了采用倒置型装配的金锡封焊工艺的可行性及优越性。
姚立华吴礼群蔡昱徐波胡进张巍
关键词：气密性封装钎焊
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