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Ku波段GaN一片式收发组件芯片被引量：2: 2017年; 报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7.00mm×3.32mm。研制的MMIC集成了5位数字衰减器、5位数字移相器、前级低噪声放大器、后级低噪声放大器、驱动放大器、功率放大器、公用支路的小信号开关和收发切换的功率开关。在16~17GHz工作频带内测得该芯片接收通道增益大于21dB,噪声系数小于3.5dB;发射通道增益大于20.8dB,饱和功率大于40.8dBm,功率附加效率典型值30%。该芯片上集成的5位数字移相器、5位数字衰减器功能正常,达到设计要求。; 任春江彭龙新戈勤沈宏昌潘晓枫李建平李忠辉陈堂胜; 关键词：氮化镓 KU波段收发

Ku波段SiGe幅相多功能芯片设计被引量：4: 2017年; 幅相多功能芯片是相控阵雷达的关键部件。为了降低前端收发组件的尺寸和成本,本文采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款Ku波段幅相多功能芯片,单片集成了接收通道和发射通道,芯片面积2.5 mm×4.5mm。研制的多功能芯片的接收通道含前端低噪声放大器、六位数控衰减器、驱动放大器、单刀双掷开关、六位数控移相器;发射通道含六位数控移相器、单刀双掷开关、驱动放大器、中功率放大器。此外,为了进一步提高芯片的集成度,采用片上集成的电源管理单元和数字逻辑单元实现电源电压变换、衰减器和移相器的逻辑控制以及收发通道切换等功能。实测结果表明:在f1~f2(1GHz带宽)频带内,实现了发射增益17dB,发射功率(Psat)21.7dBm;接收增益-3dB,接收输入功率(P-1)-8.5dBm,接收噪声系数6.5dB;5.625°移相步进,移相精度(RMS)4.5°;0.5dB衰减步进,衰减精度(0.3dB+7%AS)。; 李健康沈宏昌陈亮李晓鹏童伟曲俊达; 关键词：SIGE 异质结双极晶体管衰减器单刀双掷开关

基于LTCC技术的表贴式微波模块设计被引量：6: 2010年; 给出了一种新型无引线表贴式微波模块设计方法。采用LTCC多层布线技术,运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输,完成表贴式互连结构设计。在DC-18GHz内,该表贴互连驻波小于1.5,插入损耗小于1.5dB(含测试盒插入损耗)。在此基础上设计、制作了一款表贴式X波段有源多功能模块,在9～10GHz内,测得噪声系数小于4dB,输出功率大于21dBm。尺寸仅为13×13×4.5mm3,重量小于3g。; 周骏窦文斌沈亚沈宏昌; 关键词：表贴多芯片组件低温共烧陶瓷

高本振抑制度宽带混频器: 本发明公开了高本振抑制度宽带混频器，涉及混频器电路，属于基本电子电路的技术领域。该混频器包括跨导级晶体管、级间变压器耦合网络、开关级与负载级，其中，级间变压器耦合网络包括一个双入双出变压器与两个调谐电容，变压器线圈的初级...; 王冲沈宏昌李健康; 文献传递

具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法: 本发明提出的是一种具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法，包括如下步骤：（1）在AlGaN势垒层上提供第一欧姆接触作为源电极、第二欧姆接触作为漏电极；（2）制备第一个“T”型栅电极；（3）重复步骤1）～6）制备多...; 任春江沈宏昌; 文献传递

一种微波单刀多掷开关: 本发明公开了一种微波单刀多掷开关，包括一端为输入端的输入传输线，该输入传输线的另一端同时连接到开关组和补偿电路，所述开关组由至少两个开关臂组成，每个开关臂的另一端为输出端，所述补偿电路改变开关组的输入阻抗，使其与输入传输...; 沈宏昌李思其任春江韩群飞; 文献传递

宽带GaN大功率单刀双掷开关设计被引量：1: 2015年; 设计了一款基于MMIC工艺的宽带GaN大功率单刀双掷开关芯片,该款GaN开关芯片电路采用一个串管两并管的结构。在小信号开关芯片设计的基础上,利用了功率开关容量的理论公式,并结合电路仿真以及电磁场仿真,辅之以DOE(Design of experiment)方法设计。开关芯片实测结果表明:在DC-12GHz频带内,插入损耗<1.2dB,隔离度>40dB,P-0.1>44dBm,体积仅为1.8mm×1.0mm×0.1mm。; 沈宏昌任春江韩群飞徐波李思其; 关键词：宽带氮化镓大功率开关

传输型超宽带数字移相器: 本发明公开了一种传输型超宽带数字移相器，包括绕线电感定向耦合器、相位参考通路、输入选择开关、输出选择开关、输入匹配单元和输出匹配单元；输入匹配单元连接输入选择开关，输入选择开关连接绕线电感定向耦合器和相位参考通路，再连接...; 浦鈺钤沈宏昌李健康; 文献传递

GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成的研究被引量：6: 2016年; 基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片电路的工艺加工。研制的GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片数字控制开关电路与传统的GaAs pHEMT单片电路相比,芯片面积减小15%。; 吴立枢赵岩沈宏昌张有涛陈堂胜

Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制被引量：3: 2016年; <正>首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器、小信号开关、驱动放大器、功率放大器和功率开关,如图1所示。在16~17 GHz工作频率内测得接收通道增益≥20±0.5 dB,噪声系数≤3.5 dB;发射通道增益约44 dB,饱和功率41 dBm(脉冲宽度100μs,10%占空比),功率附加效率约30%。; 彭龙新彭龙新任春江詹月詹月沈宏昌李建平彭建业; 关键词：功率附加效率 T/R MMIC 噪声系数

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沈宏昌