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潘晓枫

作品数：18 被引量：34H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信

主题

  • 6篇移相器
  • 6篇芯片
  • 6篇MMIC
  • 5篇砷化镓
  • 5篇数控移相器
  • 4篇单片
  • 4篇电路
  • 4篇谐波
  • 4篇倍频
  • 4篇HBT工艺
  • 3篇单片集成
  • 3篇单片集成电路
  • 3篇相控阵
  • 3篇谐波抑制
  • 3篇磷化铟
  • 3篇集成电路
  • 3篇倍频器
  • 3篇INP
  • 2篇异构
  • 2篇异构集成

机构

  • 17篇南京电子器件...
  • 3篇东南大学

作者

  • 18篇潘晓枫
  • 4篇沈宏昌
  • 3篇程伟
  • 3篇沈亚
  • 3篇徐波
  • 2篇李建平
  • 2篇彭龙新
  • 2篇陶洪琪
  • 2篇黄旼
  • 1篇王维波
  • 1篇蒋幼泉
  • 1篇刘石生
  • 1篇李辉
  • 1篇李忠辉
  • 1篇殷晓星
  • 1篇黄念宁
  • 1篇任春江
  • 1篇李思其
  • 1篇郁元卫
  • 1篇周明

传媒

  • 16篇固体电子学研...
  • 1篇2006全国...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
面向有源相控阵系统2~18 GHz超宽带幅相多功能MMIC被引量：2
2021年
基于0.15μm GaAs E/D pHEMT工艺研制了一款工作频率为2~18 GHz的高精度低功耗超宽带幅相多功能芯片,片内集成了超宽带数控移相器、Gm-boost结构行波放大器、单刀双掷吸收式开关、无源匹配电路、数字SPI接口电路等,整个芯片尺寸为4.0 mm×4.0 mm。提出奇偶模相速补偿的全通网络结构以及基于有源宽带差分结构的移相器电路拓扑,在九个倍频程范围内实现了高移相精度、低损耗和高幅度平坦度的数控移相器。测试结果表明:在2~18 GHz频率范围内移相精度RMS小于5°,移相寄生调幅小于±0.8 dB,发射/接收增益大于8 dB,输出1 dB压缩点功率大于12 dBm,输入驻波小于2.4,输出驻波小于1.7。
潘晓枫刘尧林宗伟张天羽殷晓星陶洪琪
关键词：超宽带砷化镓全通网络
毫米波单片数控移相器的研制
随着半导体产业的不断发展，8毫米波各种单片已被广泛应用于发射物搜索，卫星通讯中。本课题基于55所的O．15um栅长的GaAs PHEMT工艺，研究并制作了毫米波单片数控移相器芯片。在32-37GHz的频带内可达到移相精度...
潘晓枫
关键词：毫米波器件
文献传递
InP DHBT Ka波段四通道发射芯片
2020年
基于南京电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分输出信号功率大于5 dBm,三次谐波抑制大于30 dBc,五次谐波抑制大于35 dBc。线性功率检波范围为-10~10 dBm(0.05 V/dBm),温度传感器检测范围为-55~125℃(1 mV/K)。图1-4展示了该款芯片的测试结果。
潘晓枫刘尧张宇辰徐波程伟
关键词：KA波段DHBT四倍频INP五次谐波
基于InP HBT工艺的C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC
2022年
基于0.7μm InP HBT工艺,设计了一款C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC。三倍频核心电路采用AB类差分级联三极管(cascode)结构,可产生丰富的奇次谐波信号,通过输出匹配网络滤出三次谐波信号并抑制其他谐波信号。输入端利用有源巴伦实现单端信号到差分信号的转换,提供较大的驱动功率同时节省面积;输出端级联缓冲放大器,提高输出功率。常温状态下,当输入驱动功率为-5 dBm时,该三倍频器在输出频率3.9~6.9 GHz范围内,输出功率大于10 dBm,偶次谐波抑制度大于33 dBc,基波抑制度大于35 dBc,五次谐波抑制度大于24 dBc。芯片供电方式为单电源+3.3 V供电,直流功耗为198 mW。
姚露露刘尧潘晓枫程伟王学鹏
关键词：磷化铟
Ku波段GaN一片式收发组件芯片被引量：2
2017年
报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7.00mm×3.32mm。研制的MMIC集成了5位数字衰减器、5位数字移相器、前级低噪声放大器、后级低噪声放大器、驱动放大器、功率放大器、公用支路的小信号开关和收发切换的功率开关。在16~17GHz工作频带内测得该芯片接收通道增益大于21dB,噪声系数小于3.5dB;发射通道增益大于20.8dB,饱和功率大于40.8dBm,功率附加效率典型值30%。该芯片上集成的5位数字移相器、5位数字衰减器功能正常,达到设计要求。
任春江彭龙新戈勤沈宏昌潘晓枫李建平李忠辉陈堂胜
关键词：氮化镓KU波段收发
金属陶瓷贴片封装的S波段六位数控移相器
2011年
介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果。该移相器在工作频带2.8～3.6GHz内64个移相态的移相精度RMS<1.0°、插入损耗IL<5dB、输入输出驻波比VSWR<1.5、幅度均衡ΔIL<0.3dB、1分贝压缩输入功率大于25dBm、切换时间ton、toff均小于10ns。外形尺寸为10mm×10mm×2mm。
赵霞潘晓枫孙玢黄念宁
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
带数字驱动的高集成2～18GHz时延放大多功能MMIC被引量：1
2015年
基于E/D15PHEMT工艺研制了一款2~18GHz用于相控阵雷达的时延放大多功能MMIC芯片。本芯片是一款集成了放大器、单刀双置开关、六位大波长时延器、数字驱动器等功能的多功能芯片,芯片尺寸为5mm×5mm。测试结果表明:发射接收增益皆大于-2dB,P-1在整个频带内达到12dBm。时延最小步进为10ps,最大时延量630ps,时延精度在发射和接收模式下为标称值的±4%,寄生调幅小于2dB。该芯片能够抗基于HBM的250V静电电压。
潘晓枫李建平李小鹏彭建业
关键词：相控阵
基于InPHBT工艺的宽带非线性传输线梳谱发生器MMIC设计被引量：1
2022年
基于NEDI 0.7μm InP HBT工艺,设计了一种宽带非线性传输线梳谱发生器MMIC,输出频率范围覆盖DC-100 GHz,最大倍频次数高达60。梳谱发生器由40级非线性传输线单元级联构成,每个非线性单元由高阻微带线以及基极-集电极短接的晶体管组成。在一定功率的正弦波或方波信号驱动条件下,芯片输出端可以得到系列高次脉冲信号。测试结果显示,常温状态下,当输入功率为23 dBm、频率为1 GHz的正弦波信号时,十次谐波输出功率为-17 dBm、三十次谐波输出功率为-28 dBm、五十次谐波输出功率为-34 dBm、六十次谐波输出功率为-36 dBm、一百次谐波输出功率为-44 dBm。
曹军刘尧潘晓枫程伟
关键词：磷化铟脉冲信号
基于InP HBT工艺的高功率高谐波抑制W波段宽带八倍频器MMIC
2021年
基于0.7μm InP HBT工艺,设计实现了一种高功率高谐波抑制比的W波段倍频器MMIC。电路二倍频单元采用有源推推结构,通过3个二倍频器单元级联形成八倍频链,并在链路的输出端加入输出缓冲放大器,进一步提高倍频输出功率。常温25℃状态下,当输入信号功率为0 dBm时,倍频器MMIC在78.4~96.0 GHz输出频率范围内,输出功率大于10 dBm,谐波抑制度大于50 dBc。芯片面积仅为2.22 mm^(2),采用单电源+5 V供电。
刘尧潘晓枫程伟王学鹏姚靖懿陶洪琪
关键词：磷化铟
E/D GaAs PHEMT多功能MMIC设计被引量：9
2014年
基于E/D GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了Ku波段多功能MMIC芯片。该MMIC集成了数字驱动器和微波电路,内含6bit数控移相器、6bit数控衰减器、3个低噪声放大器、4个数控单刀双掷开关、多个TTL数字驱动器。其中两个低噪声放大器采用了电流复用技术,总直流功耗小于275mW,实现了节能。测试结果表明:发射支路增益大于2dB,输出P1dB大于9dBm;接收支路增益大于10dB,输出P1dB大于7dBm,噪声系数小于8dB。相对移相误差均方根值(RMS)在发射和接收模式下均小于6°,附加调幅小于1.5dB;衰减误差RMS小于0.7dB,附加调相小于4°。
刘石生彭龙新潘晓枫沈宏昌
关键词：数控移相器数控衰减器
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