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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇性能研究
  • 1篇单晶生长
  • 1篇损伤阈值
  • 1篇热导率
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇光学
  • 1篇红外透过率
  • 1篇非线性
  • 1篇粉末衍射
  • 1篇倍频
  • 1篇X射线粉末衍...
  • 1篇CDSE
  • 1篇布里奇曼法

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇王振友
  • 3篇吴海信
  • 3篇倪友保
  • 3篇陈林
  • 3篇黄飞
  • 2篇毛明生
  • 1篇程干超

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
AgGaGeS_4晶体生长及性能研究被引量:3
2010年
采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸30mm×80mm的AgGaGeS4单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5~9.6μm波段平均吸收系数约为0.25cm-1,其中6.7~7.8μm波段小于0.02cm-1。制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°,φ=0°,尺寸7mm×7mm×2.7mm),在中心波长8.0305μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°。利用波长2.05μm、脉冲宽度20ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270MW/cm2。结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析。
王振友吴海信倪友保毛明生黄飞陈林
关键词:布里奇曼法倍频损伤阈值
水平温梯冷凝法生长ZnGeP_2单晶被引量:2
2010年
采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2~8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m.K)。
吴海信陈林王振友黄飞倪友保毛明生
关键词:X射线粉末衍射红外透过率热导率
中远红外非线性晶体材料CdSe生长及光学性能研究被引量:9
2010年
红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8~12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生长出CdSe单晶,晶体棒毛坯尺寸达Φ19×70 mm;通过X射线粉末衍射、感应耦合等离子体质谱等对多晶原料进行成分分析,原料纯度可达5N;利用低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测了晶体的基本光学性能,3~20μm波段晶体平均吸收系数α约为0.08 cm^(-1),品质良好,已能满足激光实验要求。
吴海信黄飞倪友保王振友陈林程干超
关键词:CDSE单晶生长非线性
共1页<1>
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