毛明生
- 作品数：13 被引量：35H指数：4
- 供职机构：中国科学院安徽光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程电子电信更多>>
- 新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成被引量：3
- 2008年
- 本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法。对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶。使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论。
- 吴海信王振友倪友保耿磊毛明生黄飞
- 关键词：多晶合成
- AgGaGeS_4晶体生长及性能研究被引量：3
- 2010年
- 采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸30mm×80mm的AgGaGeS4单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5～9.6μm波段平均吸收系数约为0.25cm-1,其中6.7～7.8μm波段小于0.02cm-1。制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°,φ=0°,尺寸7mm×7mm×2.7mm),在中心波长8.0305μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°。利用波长2.05μm、脉冲宽度20ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270MW/cm2。结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析。
- 王振友吴海信倪友保毛明生黄飞陈林
- 关键词：布里奇曼法倍频损伤阈值
- 红外非线性晶体GaSe的合成、生长与性能被引量：1
- 2014年
- 针对高品质红外非线性晶体GaSe难以生长、加工的问题，研究了垂直布里奇曼法籽晶定向生长技术。制备出Ф20mm×50mm完整单晶，探索了加工工艺，对样品进行了粉末衍射，能谱等测试，晶体在1．06～15μm波段吸收系数约为0．05～0．16cm^-1，完整性、光学质量均较好。演示了9．3～10．6μm波段的CO2激光倍频实验，输出4．65～5．3μm对应倍频光。
- 倪友保吴海信黄昌保程旭东王振友毛明生
- 关键词：非线性光学晶体布里奇曼法倍频
- 红外非线性晶体材料AgGa_(1-x)In_xSe_2的生长和性能表征被引量：7
- 2005年
- AgGa1-xInxSe2是近几年来研制的新型红外非线性光学晶体材料,其主要特点是借着Ga和In含量,即x值的变化,改变材料的折射率、双折射,实现三波共线非线性作用的非临界(90°)相位匹配。我们用垂直布里奇曼法生长单晶,获得了35mm×50mm的AgGa1 xInxSe2单晶棒。对生长出晶体棒In的浓度分布进行了测试。晶体元件用红外观察镜和分光光度计分别进行了观察和测试,晶体透光率良好。用一台TEACO2激光泵浦一块5×6×16mm3 的AgGa1 xInxSe2(x=0.3234)晶体元件,成功地实现了10.6μm非临界相位匹配倍频,输出5.3μm的中红外激光。
- 吴海信张维石奇毛明生程干超杨琳
- 关键词：非线性光学晶体布里奇曼法倍频
- 红外非线性光学晶体材料AgGaGeS4激光实验参数的模拟计算被引量：1
- 2008年
- 在小信号近似下，对红外非线性光学晶体AgGaGeS4的非线性性质进行研究。模拟计算了钛宝石0．8μm，Nd：YAG1．064μm泵浦下，Ⅰ类AgGaGeS4-OPO在XZ调谐面上的相位匹配情况，晶体波长调谐范围可达0．90-11．4μm，调谐角19．7—59．3°，有效非线性系数随匹配角增大而逐渐降低。另外也计算了晶体激光倍频波波长和相位匹配角的关系，晶体调谐角度范围0～62°，波长1．5—10．6μm，同时对倍频允许角及非临界准相位匹配（NCPM）下的情况也进行了探讨。所得结果可预测其非线性性质，并对探索AgGaGeS4晶体用于特定波长激光器，设计新波段提供了理论依据。
- 倪友保吴海信耿磊王振友黄飞毛明生程干超
- 关键词：OPO
- 连续波可调谐CO_2激光在AgGaSe_2中倍频研究被引量：4
- 2004年
- 在一台小型连续波(CW)CO2激光器上用光栅调谐获得了从9.23-10.65μm范围内20条谱线输出,用一片8 mm×8 mm×15 mm红外非线性光学晶体AgGaSe2实现了上述谱线的二倍频输出。实验测得10P(20)谱线的倍频光输出为2.1μW,相位匹配接收外角△θ外·L=2.1°·cm。
- 吴海信张维陶德节程干超杨琳魏合理毛明生
- 关键词：非线性光学倍频
- 用于红外变频的大尺寸AgGaS_2晶体生长被引量：6
- 2003年
- 在红外变频非线性光学应用中需要高光学质量大尺寸AgGaS2 晶体元件。我们采用改进的Bridgman方法生长直径 2 8mm、长度 6 0～ 80mm的晶体棒。成功生长的关键是要采用C向籽晶。 [0 0 1]籽晶生长的晶体中很少发现裂纹、聚片孪晶等宏观缺陷。在Ag2 S共存下的热处理能有效地排除晶体中的异相沉淀 ,显著改善透明度。我们制备的Ⅰ型相位匹配 8mm× 10mm× 16mm和 5mm× 5mm× 15mmAgGaS2 晶体元件分别成功地应用于差频、和频激光实验。
- 吴海信程干超杨琳毛明生
- 关键词：大尺寸晶体生长差频和频
- 水平温梯冷凝法生长ZnGeP_2单晶被引量：2
- 2010年
- 采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2～8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m.K)。
- 吴海信陈林王振友黄飞倪友保毛明生
- 关键词：X射线粉末衍射红外透过率热导率
- AgGaGeS_4晶体介电性能的初步探讨
- 2009年
- 利用本实验室生长的红外非线性晶体材料AgGaGeS4(AGGS),常温下进行腐蚀实验并观察畴结构,测试了不同频率、电压下晶体的电滞回线以及同一电压下不同频率介质的电容值。腐蚀图像显示出畴结构,畴尺寸5～10μm左右,证实AGGS为一热释电晶体。然而,室温下的电滞回线变形为一近似椭圆,介质电容与电场频率关系表现出强色散特性。本文对这一现象进行了系统分析,最后提出了进一步探索AGGS铁电性质的具体建议。
- 倪友保吴海信耿磊王振友毛明生程干超黄飞
- 关键词：介电性能畴结构
- 一种新型制备红外非线性晶体AgGaS_2的方法被引量：2
- 2010年
- 采用改进的Bridgman法生长出25mm×70mm的AgGaS2单晶,并对样品进行了退火处理。通过X射线粉末衍射(XRD)测试,证实利用该方法制备的单晶确为AgGaS2;利用红外分光光度计检测,晶体0.5～12μm波段透过率在60%以上(未镀膜),表明晶体品质良好。另外,还加工出两块不同角度5mm×5mm×5mm倍频元件,在2.79μmEr,Cr∶YSGG和9.6μmCO2激光器上实现了倍频光输出。
- 吴海信黄飞倪友保王振友毛明生程干超
- 关键词：布里奇曼法光学性能倍频
