黄飞
- 作品数：7 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院安徽光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- AgGaGeS_4晶体生长及性能研究被引量：3
- 2010年
- 采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸30mm×80mm的AgGaGeS4单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5～9.6μm波段平均吸收系数约为0.25cm-1,其中6.7～7.8μm波段小于0.02cm-1。制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°,φ=0°,尺寸7mm×7mm×2.7mm),在中心波长8.0305μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°。利用波长2.05μm、脉冲宽度20ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270MW/cm2。结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析。
- 王振友吴海信倪友保毛明生黄飞陈林
- 关键词：布里奇曼法倍频损伤阈值
- 红外非线性光学晶体材料AgGaGeS4激光实验参数的模拟计算被引量：1
- 2008年
- 在小信号近似下，对红外非线性光学晶体AgGaGeS4的非线性性质进行研究。模拟计算了钛宝石0．8μm，Nd：YAG1．064μm泵浦下，Ⅰ类AgGaGeS4-OPO在XZ调谐面上的相位匹配情况，晶体波长调谐范围可达0．90-11．4μm，调谐角19．7—59．3°，有效非线性系数随匹配角增大而逐渐降低。另外也计算了晶体激光倍频波波长和相位匹配角的关系，晶体调谐角度范围0～62°，波长1．5—10．6μm，同时对倍频允许角及非临界准相位匹配（NCPM）下的情况也进行了探讨。所得结果可预测其非线性性质，并对探索AgGaGeS4晶体用于特定波长激光器，设计新波段提供了理论依据。
- 倪友保吴海信耿磊王振友黄飞毛明生程干超
- 关键词：OPO
- 一种新型制备红外非线性晶体AgGaS_2的方法被引量：2
- 2010年
- 采用改进的Bridgman法生长出25mm×70mm的AgGaS2单晶,并对样品进行了退火处理。通过X射线粉末衍射(XRD)测试,证实利用该方法制备的单晶确为AgGaS2;利用红外分光光度计检测,晶体0.5～12μm波段透过率在60%以上(未镀膜),表明晶体品质良好。另外,还加工出两块不同角度5mm×5mm×5mm倍频元件,在2.79μmEr,Cr∶YSGG和9.6μmCO2激光器上实现了倍频光输出。
- 吴海信黄飞倪友保王振友毛明生程干超
- 关键词：布里奇曼法光学性能倍频
- 新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成被引量：3
- 2008年
- 本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法。对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶。使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论。
- 吴海信王振友倪友保耿磊毛明生黄飞
- 关键词：多晶合成
- 水平温梯冷凝法生长ZnGeP_2单晶被引量：2
- 2010年
- 采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2～8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m.K)。
- 吴海信陈林王振友黄飞倪友保毛明生
- 关键词：X射线粉末衍射红外透过率热导率
- AgGaGeS_4晶体介电性能的初步探讨
- 2009年
- 利用本实验室生长的红外非线性晶体材料AgGaGeS4(AGGS),常温下进行腐蚀实验并观察畴结构,测试了不同频率、电压下晶体的电滞回线以及同一电压下不同频率介质的电容值。腐蚀图像显示出畴结构,畴尺寸5～10μm左右,证实AGGS为一热释电晶体。然而,室温下的电滞回线变形为一近似椭圆,介质电容与电场频率关系表现出强色散特性。本文对这一现象进行了系统分析,最后提出了进一步探索AGGS铁电性质的具体建议。
- 倪友保吴海信耿磊王振友毛明生程干超黄飞
- 关键词：介电性能畴结构
- 中远红外非线性晶体材料CdSe生长及光学性能研究被引量：9
- 2010年
- 红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8～12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生长出CdSe单晶,晶体棒毛坯尺寸达Φ19×70 mm;通过X射线粉末衍射、感应耦合等离子体质谱等对多晶原料进行成分分析,原料纯度可达5N;利用低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测了晶体的基本光学性能,3～20μm波段晶体平均吸收系数α约为0.08 cm^(-1),品质良好,已能满足激光实验要求。
- 吴海信黄飞倪友保王振友陈林程干超
- 关键词：CDSE单晶生长非线性
