王振友
- 作品数：42 被引量：38H指数：3
- 供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程化学工程更多>>
- 红外非线性晶体Na_2Ge_2Se_5非线性变频模拟计算
- 2015年
- 对红外非线性光学晶体Na2Ge2Se5的非线性性质进行了研究。计算了主平面内倍频调谐曲线,O.946μm、1.064μm、1.1319μm泵浦情况下的倍频空间调谐曲线以及和频产生0.589μm激光的匹配曲线,并对计算结果进行了分析比较。所得结果可为Na2Ge2Se5晶体用于特定波长激光器,设计新波段提供理论依据。
- 程旭东吴海信王振友倪友保黄昌保肖瑞春
- 关键词：非线性光学相位匹配二次谐波和频
- 一种蒸气平衡生长BaGa<Sub>2</Sub>GeSe<Sub>6</Sub>单晶的方法
- 本发明公开一种蒸气平衡生长BaGa<Sub>2</Sub>GeSe<Sub>6</Sub>单晶的方法，包括以下步骤：按BaGa<Sub>2</Sub>GeSe<Sub>6</Sub>化学计量比分别称取Ba、Ga、Ge和S...
- 王振友吴海信毛明生
- 高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体被引量：1
- 2018年
- AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景。合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键。但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比。为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程。多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致; X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe_5Se_(12)中Ag、Ga、Ge、Se各占7. 86%、5. 08%、23. 80%、63. 26%,AgGaGeS_4中Ag、Ga、Ge、S各占28. 22%、18. 24%、19. 52%、34. 02%;单晶透过率测试得到AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4透过率分别为60%、70%,证明此方法制备的AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力。
- 马佳仁黄昌保倪友保吴海信王振友
- 一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法
- 本发明涉及一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法；首先在惰性气体手套箱中进行高纯Cd、Ge、As单质的称料和装料；接着在真空排气台上利用高纯Ar气多次清洗生长坩埚，最后充入适当压力的Ar惰性气体以抑制组分挥发。采用类单温...
- 王振友吴海信毛明生倪友保黄昌保陈诗静马佳仁
- 文献传递
- 无机化合物硒化钠的制备方法及其装置
- 本发明公开一种无机化合物硒化钠的制备方法及其装置，无机化合物硒化钠通过（1）在真空手套箱内将金属钠和单质硒放入反应器内；（2）对反应器反复抽高真空、充氮气清洗、抽高真空3～4次；（3）通入液氨，使金属钠完全溶解于液氨中；...
- 王振友吴海信程旭东肖瑞春黄昌保倪友保毛明生
- 文献传递
- 一种新型制备红外非线性晶体AgGaS_2的方法被引量：2
- 2010年
- 采用改进的Bridgman法生长出25mm×70mm的AgGaS2单晶,并对样品进行了退火处理。通过X射线粉末衍射(XRD)测试,证实利用该方法制备的单晶确为AgGaS2;利用红外分光光度计检测,晶体0.5～12μm波段透过率在60%以上(未镀膜),表明晶体品质良好。另外,还加工出两块不同角度5mm×5mm×5mm倍频元件,在2.79μmEr,Cr∶YSGG和9.6μmCO2激光器上实现了倍频光输出。
- 吴海信黄飞倪友保王振友毛明生程干超
- 关键词：布里奇曼法光学性能倍频
- 水平温梯冷凝法生长ZnGeP_2单晶被引量：2
- 2010年
- 采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2～8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m.K)。
- 吴海信陈林王振友黄飞倪友保毛明生
- 关键词：X射线粉末衍射红外透过率热导率
- 基于实验参数的Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)中红外激光理论研究
- 2024年
- 基于加工出的Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)晶体元件的吸收光谱测试以及Judd-Ofelt理论计算数据,通过互易法计算出各发光能级间的荧光吸收与发射截面.通过测试与计算得到的数据,数值模拟了采用1.3μm和1.7μm泵浦源直接抽运Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)晶体产生4.3μm中红外激光的实验方案.计算分析了激光功率、增益和吸收系数在晶体内的空间分布,分析比较了泵浦光功率、元件长度和输出镜反射率对输出功率的影响.模型中在光路中引入2.9μm级联激光振荡,以此抽运因为4.3μm发光堆积在能级^(6)H_(13/2)上的粒子数,发现其可以有效降低能级^(6)H_(11/2)到^(6)H_(13/2)跃迁的自终止效应,提高激光输出功率.计算结果表明:采用1.3μm和1.7μm泵浦源,当功率都为4 W时,最大的输出功率分别为103 mW和315 mW,斜率效率可达到2.8%和8.0%.数值模拟的结果对下一步晶体元件的改良加工以及光路搭建参数的选取提供了一定的指导意义.
- 余学舟黄昌保吴海信胡倩倩刘国晋李亚李亚祁华贝朱志成王振友
- 关键词：中红外激光数值模拟晶体
- 新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成被引量：3
- 2008年
- 本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法。对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶。使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论。
- 吴海信王振友倪友保耿磊毛明生黄飞
- 关键词：多晶合成
- 大尺寸红外非线性晶体AgGaGeS<,4>制备及其性能研究
- 新型红外非线性晶体AgGaGeS4具有透光波段宽(0.5～11.5μm)，吸收系数小(0.005-0.01cm-1)，抗损伤阈值高(230MW/cm2，9.55μm，30ns)，相位匹配波段宽等优点;采用Nd:YAG1....
- 王振友
- 关键词：晶体生长
