吴琼瑶
- 作品数：8 被引量：14H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术研究被引量：3
- 2020年
- 太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化,甚至造成永久性损毁。文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究,从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射策略,并进行了总剂量和单粒子试验。试验结果表明,采用抗辐射加固技术设计制作的CMOS图像传感器具备抗总剂量和单粒子辐射能力,当总剂量达到100krad(Si)、单粒子辐射总注量达到1×10^7 p/cm^2时,器件的关键指标变化符合预期要求。
- 吕玉冰吴琼瑶刘昌举李明周亚军刘戈扬
- 关键词：CMOS图像传感器总剂量效应单粒子
- CCD组件靶面脏斑成因分析及解决方法
- 2010年
- 通过三项试验,找到了CCD摄像机组件靶面脏斑形成的原因。潮湿的自然环境、温度变化和运输振动三个因素促成CCD组件机壳内的水汽吸附灰尘,凝聚到芯片靶面上形成脏斑。提出了解决脏斑问题的具体方法。通过在CCD组件的装配、包装过程中采取针对性措施来保证密封性能,这样就能在存储和运输过程中避开空气中的灰尘、水汽等脏斑源,靶面上就不会因受潮而产生脏斑。采取这些措施后,在后续产品中脏斑问题得到了彻底解决。
- 杨亚生周旭东陈林邓艳红熊明昌郑渝吴琼瑶
- 关键词：CCD
- 近红外增强CCD成像器件研究被引量：1
- 2021年
- 阐述采用背照式CCD工艺,制备一种新型的近红外增强CCD。相比较传统的近红外增强CCD(增加外延层厚度),基于反应离子刻蚀法在该器件背面进行了黑硅制作,在紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2500nm)都具有高吸收率,可以增强CCD近红外响应灵敏度。结果表明,在400~1060nm波长范围内,黑硅反射率小于7%,吸收率大于93%。黑硅CCD近红外响应得到增强,与常规CCD相比,在波长950~1060nm的量子效率分别从34%和1%提高到41.8%和16.1%。
- 曲鹏程陈清华吴琼瑶廖乃镘岳志强廖晓航刘昌林
- 关键词：反应离子刻蚀
- 光电耦合器内部气氛控制技术及工艺研究被引量：1
- 2020年
- 为满足尖端领域对高可靠性元器件内部气氛控制的要求,分析了内部气氛的构成及现有内部气氛控制水平,并基于现有工艺,采取多维度内部气氛控制的工艺措施,在各工艺维度上,通过试验研究对工艺条件进行迭代验证,并增加配套控制措施,确定了各工艺维度的条件。经过试验验证,内部气氛控制水平有显著提升,可满足航天高可靠性的控制要求且有较大余量。
- 吴琼瑶
- 关键词：光电耦合器
- 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制被引量：8
- 2007年
- 采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。
- 黄烈云吴琼瑶赵文伯叶嗣荣向勇军刘小芹黄绍春
- 关键词：紫外探测器ALGAN日盲刻蚀欧姆接触
- 高速InGaAs光电探测器可靠性寿命评估
- 2020年
- 随着航天应用高速InGaAs探测器的迅速发展,其可靠性问题日益突出,本文选择温度应力与光应力为加速应力,通过爱林模型与恒定应力加速寿命试验方法对XX型高速InGaAs探测器进行了研究,获得了InGaAs探测器在4种组合应力下的退化数据与寿命模型,进而推算出器件在正常工作状态下的寿命.
- 吴琼瑶李晓潮伍明娟李钦刘吉
- 关键词：INGAAS
- 酒精粗检漏在CCD中的应用被引量：1
- 2012年
- 针对酒精粗检漏试验中所遇到的一些问题,阐述了应当采用何种手段来确保整个粗检漏试验过程中,不会因为干扰因素而对试验结果进行误判。
- 李晓潮王钢荣吴琼瑶程顺昌王微频
- 关键词：电荷耦合器件密封
- 国产CCD质子辐照的失效机理研究
- 2019年
- 针对国产XXX型CCD,开展了10MeV质子辐照损伤试验研究。本文介绍了质子辐照试验方法,分析了CCD在不同状态下质子辐照试验的损伤机理,确定了暗信号幅度为其敏感参数,并对暗信号的退化机理进行了分析。
- 吴琼瑶李钦汪朝敏李晓潮刘吉
- 关键词：质子辐照CCD
