黄烈云
- 作品数：18 被引量：25H指数：3
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 高抑制比背照式Al_xGa_(1-x)N pin日盲紫外探测器研究被引量：1
- 2014年
- 利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。
- 赵文伯许华胜申志辉叶嗣荣周勋李艳炯黄烈云
- 关键词：抑制比背照式
- 64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
- 介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程,以及需要注意的关键技术。
- 江永清李应辉黄烈云肖灿叶嗣荣向勇军
- 关键词：紫外图像传感器GANALGAN
- 文献传递
- Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量：5
- 2009年
- 报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～280nm，268nm峰值波长的响应度大于0．095A／W。器件实现了日盲紫外成像演示。
- 赵文伯赵红叶嗣荣黄烈云唐遵烈罗木昌杨晓波廖秀英向勇军邹泽亚
- 关键词：ALXGA1-XNPIN光电二极管
- 一种新型去除硼硅玻璃的方法
- 2014年
- 通过在硼扩散后增加一步800℃、5min的氧化工艺,使得硼扩散过程中产生的硼硅玻璃能够去除干净,在去除硼硅玻璃后的硅片上生长的氧化层厚度均匀、可控,有利于提高器件的光响应均匀性。
- 钟玉杰许宏黄烈云
- 关键词：硼硅玻璃探测器
- 64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
- 本文介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程,以及需要注意的关键技术，由GaN基紫外探测器组成的成像系统体积小，性能可靠，在军事民用两方面都有着独特的优势。
- 江永清李应辉黄烈云肖灿叶嗣荣向勇军
- 关键词：紫外探测器图像传感器GANALGAN成像系统
- 近红外增强低串扰四象限探测器技术研究
- 2023年
- 黑硅四象限光电探测器结合了黑硅技术与四象限探测器技术,与传统结构四象限光电探测器相比,具有更高的灵敏度、更宽的响应光谱范围和更快的响应速度,可有效提高激光制导武器的探测距离与探测精度,在国防军事领域具有突出的应用价值和广阔的应用前景。本文四象限探测器采用硅材料制作,硅材料本身对波长大于1000nm光子的吸收能力差,导致器件的近红外响应低。黑硅结构从紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2500nm)都具有高吸收率,可以增强硅基四象限光电探测器近红外响应灵敏度。本文研制的像元串扰抑制结构,可以有效的防止像元边缘的光生载流子扩散入邻近像元,从而形成串扰,退化器件性能。本文基于湿法腐蚀的黑硅制作技术,隔离沟槽和截止环复合结构串扰抑制技术,研制了近红外响应增强低串扰四象限探测器。研究结果表明,在400nm-1060nm波长范围内,研制的黑硅反射率小于2%,器件响应度达到0.55A/W@1060nm,像元间串扰小于2%@1060nm。
- 刘钟远刘恋黄烈云黄建张勇
- 关键词：四象限探测器
- 硅基线性模式APD焦平面研制
- 2022年
- 针对三维激光雷达的应用场景对雪崩光电二极管(APD)焦平面的性能要求,研究并制备了一种2×128硅基线性模式APD焦平面组件,它由硅基APD焦平面阵列、读出电路和制冷封装管壳组成。APD像元采用拉通型结构,通过大尺寸微透镜实现了高填充因子,通过隔离环掺杂实现了串扰抑制。通过离子注入工艺实现了击穿电压和响应电流的均匀性。设计大带宽低噪声跨阻放大电路、高精度计时电路,实现了窄脉宽、高灵敏度探测。采用气密性封装,实现了APD焦平面制冷一体化封装,制冷温差在40 K以上。测试结果表明,焦平面的探测阈值光功率可达3.24 nW,响应非均匀性为3.8%,串扰为0.14%,最小时间分辨率可达0.25 ns,实现了强度信息与时间信息同时输出的功能。
- 郭安然雷仁方黄建邓光平马华平黄烈云谷顺虎郭培
- 关键词：雪崩光电二极管焦平面阵列三维成像
- 日盲探测器高Al组分n-Al_(0.6)Ga_(0.4)N欧姆接触(英文)
- 2008年
- 研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4Ω·cm2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.
- 朱雁翎杜江锋罗木昌赵红赵文伯黄烈云姬洪于奇杨谟华
- 关键词：欧姆接触退火
- 剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用被引量：1
- 2005年
- 采用剥离技术,实现了GaN 基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用。介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用。
- 叶嗣荣肖灿黄烈云向勇军
- 关键词：ALGAN紫外探测器
- 高响应905nm硅雪崩光电二极管设计
- 2021年
- 阐述n+-p-π-p+外平面结构APD的工作原理和设计考虑,其感光面积为0.2~0.8mm。这些光电二极管被优化用于检测905nm辐射,并在该范围内实现了优异的参数-高增益、低噪声、高检测率。
- 曾武贤钟玉杰黄烈云
- 关键词：硅雪崩光电二极管响应度
