您的位置: 专家智库 > >

向勇军

作品数:11 被引量:24H指数:3
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇光电
  • 5篇ALGAN
  • 4篇图像
  • 4篇紫外图像
  • 4篇感器
  • 4篇GAN
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇图像传感器
  • 3篇紫外探测
  • 3篇紫外探测器
  • 3篇光电二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇紫外
  • 2篇PIN
  • 2篇PIN光电二...
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇增强型

机构

  • 11篇重庆光电技术...
  • 1篇重庆邮电学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 11篇向勇军
  • 9篇黄烈云
  • 6篇叶嗣荣
  • 4篇肖灿
  • 3篇李应辉
  • 3篇江永清
  • 2篇赵文伯
  • 1篇罗木昌
  • 1篇杨晓波
  • 1篇钟四成
  • 1篇孙诗
  • 1篇赵红
  • 1篇刘小芹
  • 1篇刘昌举
  • 1篇张卓勋
  • 1篇邹泽亚
  • 1篇李作金
  • 1篇廖秀英
  • 1篇李仁豪
  • 1篇黄绍春

传媒

  • 9篇半导体光电

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量:5
2009年
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3.5V,-0.5V偏压时暗电流小于1.2×10^-12A(φ=300ttm台面),光谱响应范围260~280nm,268nm峰值波长的响应度大于0.095A/W。器件实现了日盲紫外成像演示。
赵文伯赵红叶嗣荣黄烈云唐遵烈罗木昌杨晓波廖秀英向勇军邹泽亚
关键词:ALXGA1-XNPIN光电二极管
64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
本文介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程,以及需要注意的关键技术,由GaN基紫外探测器组成的成像系统体积小,性能可靠,在军事民用两方面都有着独特的优势。
江永清李应辉黄烈云肖灿叶嗣荣向勇军
关键词:紫外探测器图像传感器GANALGAN成像系统
硅PIN光电二极管光谱响应特性的数值模拟计算被引量:1
2006年
对硅PIN光电二极管的光谱响应特性作了详细的分析计算,得到了硅PIN光电二极管光谱响应的计算公式;给出了器件光谱响应曲线的绘制方法。实测数据与公式计算结果吻合较好。讨论了器件工艺参数变化对光谱响应的影响。
张卓勋但伟王波向勇军赵珊鲁卿
关键词:光谱响应硅光电二极管
64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程,以及需要注意的关键技术。
江永清李应辉黄烈云肖灿叶嗣荣向勇军
关键词:紫外图像传感器GANALGAN
文献传递
剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用被引量:1
2005年
采用剥离技术,实现了GaN 基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用。介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用。
叶嗣荣肖灿黄烈云向勇军
关键词:ALGAN紫外探测器
一种单片集成的光接收电路的设计被引量:1
2016年
基于一种光接收器件的电路结构,利用硅基BJT工艺对光电二极管和接收电路进行了设计。通过引入辅助开关电路以及双结光电二极管,提高了输出晶体管的关断速度。测试结果显示,该光接收电路在870nm波长下的数据速率可达到10MBd。
邓光平向勇军刘昌举钟四成李仁豪
关键词:跨阻放大器光电二极管光通信
大面积枕型二维位敏探测器的研制被引量:2
2014年
在简要分析二维位敏探测器工作原理的基础上,详细介绍了一种大面积枕型二维位敏探测器的结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流、位置分辨率,以及位置线性度等性能参数进行了分析。测试结果显示,器件在峰值波长λp=930nm处的响应度达0.63A/W,暗电流小于300nA(VR=10V),位置分辨率小于10μm,位置非线性度小于5%。
黄烈云莫彦祎向勇军
硅基650nm增强型光电探测器被引量:4
2012年
通过在硅PIN结构的基础上进行改进,采用硅P+PIN结构,研制出650nm增强型光电探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流和响应速度等参数进行计算与分析。实验结果表明,器件响应度达0.448A/W(λ=650nm),暗电流达到0.1nA(VR=10V),上升时间达到3.2ns。
黄烈云向勇军孙诗
关键词:PIN响应度
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制被引量:7
2007年
采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。
黄烈云吴琼瑶赵文伯叶嗣荣向勇军刘小芹黄绍春
关键词:紫外探测器ALGAN日盲刻蚀欧姆接触
高阻p型硅大面积四象限探测器的研制被引量:1
2012年
采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm),暗电流小于50nA(Vr=135V),象限间串扰低于2.5%。
向勇军黄烈云李作金
关键词:四象限探测器串扰
共2页<12>
聚类工具0