张乐情
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院科研装备研制项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学更多>>
- Flash存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性被引量：3
- 2013年
- 针对一款商用浮栅型Flash存储器进行60Coγ总剂量试验和退火试验,分析了器件失效的机理。使用超大规模集成电路测试系统测试了Flash的DC、AC、功能参数,利用Shmoo测试扩展了辐射敏感参数的范围和辐射损伤分析手段,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律。实验结果表明:强场下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的加速积累使电荷泵电路的性能恶化造成器件的功能失效。由于氧化物陷阱电荷在数量上多于界面态陷阱电荷,使得器件功能和辐射敏感参数在退火过程中恢复。
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- 关键词：电荷泵
- 12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应被引量：1
- 2011年
- 对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)和失码(Misscode)在低剂量率下电离损伤更严重,表现出明显的低剂量率损伤增强效应(Enhanced-Low-Dose-Rate-Sensitivity,ELDRS)。结合工艺条件和空间电荷模型对ADC的损伤机理进行了讨论。
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- 关键词：BICMOS模数转换器剂量率
- 不同偏置下10位双极模数转换器高低剂量率的辐射效应
- 2012年
- 研究了10位双极模数转换器(ADC)在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现,此类模数混合信号电路在不同偏置和不同剂量率辐照下的电离辐照响应有较大差异。同一电参数既表现出低剂量率损伤增强效应(ELDRS)又表现出时间相关效应(TDE)。研究结果进一步表明,低剂量率辐照0 V偏置是最劣偏置;与之相反,高剂量率辐照5 V偏置是最劣偏置,而加电阻偏置对辐照损伤有一定的抑制作用。最后,结合空间电荷模型和边缘电场效应对其辐照损伤差异及退火机理进行了初步探讨。
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- 关键词：偏置条件ELDRS
- 半导体材料电子非电离能损的分析法计算被引量：1
- 2012年
- 非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。
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- CCD的辐射损伤参数测试方法
- 为了深入开展CCD的辐射效应研究,建立了CCD的辐射损伤参数测试方法,与新疆理化所现有的光电成像器件辐射效应测试系统相结合,能准确、高效地实现CCD辐射损伤参数的定量测试与分析。可测试的参数包括暗信号、电荷转移效率、饱和...
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- 关键词：CCD光谱响应
- 文献传递
- 应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计
- 2012年
- 电荷耦合器件(CCD)辐射效应测试系统需具备通用性。通常情况下需要为每一种CCD设计一款测试电路,无法满足通用性要求,通用性电路的难点在于不同CCD要求不同的驱动通道数、驱动时序、信号占空比及工作点。提出了一种适用于多种CCD的测试电路设计方法。以现场可编程门阵列(FPGA)负责时序发生、工作点调节及整个系统的控制,驱动模块采用工作点可调的模式,并结合电荷泵技术,仅需更改FPGA设计及给驱动模块提供不同的工作点电压,便可使以上驱动参数可调,实现测试电路的通用性。采用该方法进行测试还可以适应CCD辐照后工作点的变化。最后通过正确驱动TCD1209线阵CCD和4096×96型TDI-CCD,并对TDI-CCD总剂量辐照实验进行正确的参数测试,验证了通用测试电路设计方法的可行性。
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- 关键词：电荷耦合器件现场可编程门阵列
- 不同偏置下CMOSSRAM辐射损伤效应
- 2012年
- 通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响应关系。实验结果表明偏置条件对SRAM器件辐射损伤情况有较大影响,相对5种静态偏置,动态读写偏置所受辐射损伤较不敏感,其功能失效阈值也较大;SRAM总剂量效应存在印记现象,辐照时器件存储状态对辐照损伤有一定影响。
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- 关键词：静态随机存储器总剂量效应
