卢健
- 作品数：21 被引量：14H指数：2
- 供职机构：上海微小卫星工程中心更多>>
- 发文基金：中国科学院科研装备研制项目更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术核科学技术更多>>
- 角度调整装置
- 本实用新型提供了一种角度调整装置。本实用新型的角度调整装置的两个支撑竖梁竖直对正放置，所述支撑杆的两端沿水平方向插入所述两个支撑竖梁中心的长方体通孔内,所述支撑杆的中间部位套设有一个拧紧螺母，所述两个横梁位于所述两个支撑...
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- 文献传递
- 不同偏置下CMOSSRAM辐射损伤效应
- 2012年
- 通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响应关系。实验结果表明偏置条件对SRAM器件辐射损伤情况有较大影响,相对5种静态偏置,动态读写偏置所受辐射损伤较不敏感,其功能失效阈值也较大;SRAM总剂量效应存在印记现象,辐照时器件存储状态对辐照损伤有一定影响。
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- 关键词：静态随机存储器总剂量效应
- 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
- 2012年
- 通过分析部分耗尽绝缘层附着硅互补金属氧化物半导体静态随机存储器(SRAM)在动态偏置条件下的电学参数和功能参数随累积剂量的变化规律,研究了绝缘层附着硅(SOI)工艺SRAM器件在^(60)Co-γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应及器件敏感参数与功能错误数之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及其辐射损伤评估提供了可能的途径和方法.实验结果表明:辐射引起的场氧和埋氧漏电是功耗电流增大的主要原因;阈值电压漂移造成输出高电平下降、低电平微小上升和峰-峰值大幅降低,以及传输延迟增大;当总剂量累积到一定程度,逻辑功能因关断功能的失效而出现突变错误;传输延迟和输出高电平与逻辑功能错误之间存在一定相关性.
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- 关键词：静态随机存储器总剂量效应功耗电流
- Flash存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性被引量：3
- 2013年
- 针对一款商用浮栅型Flash存储器进行60Coγ总剂量试验和退火试验,分析了器件失效的机理。使用超大规模集成电路测试系统测试了Flash的DC、AC、功能参数,利用Shmoo测试扩展了辐射敏感参数的范围和辐射损伤分析手段,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律。实验结果表明:强场下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的加速积累使电荷泵电路的性能恶化造成器件的功能失效。由于氧化物陷阱电荷在数量上多于界面态陷阱电荷,使得器件功能和辐射敏感参数在退火过程中恢复。
- 张兴尧郭旗张乐情卢健吴雪于新
- 关键词：电荷泵
- 陆地冰川的遥感研究
- 在全球变化的研究中,青藏高原是全球变化的敏感地区.现代冰川的前进和后退记录了数十年来气候变化的累积效应,本文通过多波段遥感图像的自动分类和与地形图匹配,获取现代冰川波动的范围,文中通过采用阀值法、监督分尖,非监督分类,谱...
- 张世强卢健刘时银
- 关键词：影象匹配
- 文献传递
- 12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应被引量：1
- 2011年
- 对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)和失码(Misscode)在低剂量率下电离损伤更严重,表现出明显的低剂量率损伤增强效应(Enhanced-Low-Dose-Rate-Sensitivity,ELDRS)。结合工艺条件和空间电荷模型对ADC的损伤机理进行了讨论。
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- 关键词：BICMOS模数转换器剂量率
- 基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展被引量：1
- 2019年
- Flash存储器因其高存储容量、低功率以及非易失性等特点而被广泛应用于航天系统中。本文对NAND器件中各功能模块的辐射总剂量效应试验结果进行了分析和讨论。结论是浮栅结构是总剂量效应最为敏感的模块。
- 曾庆锴卢健李彩张冬冬张勇
- 关键词：NAND总剂量浮栅
- 三角形内切圆圆心标定装置
- 本实用新型公开了三角形内切圆圆心标定装置，其包括：T形卡位尺和两连接杆，T形卡位尺上沿其延伸方向设置T形卡位槽，该T形卡位槽的垂直段位于水平段的中心位置；两连接杆长度相同，两连接杆的一端同轴可转动连接，并通过三个端部与T...
- 曹德峰崔帅张凌李志勇胥佳灵卢健李彩
- 文献传递
- 不同偏置下10位双极模数转换器高低剂量率的辐射效应
- 2012年
- 研究了10位双极模数转换器(ADC)在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现,此类模数混合信号电路在不同偏置和不同剂量率辐照下的电离辐照响应有较大差异。同一电参数既表现出低剂量率损伤增强效应(ELDRS)又表现出时间相关效应(TDE)。研究结果进一步表明,低剂量率辐照0 V偏置是最劣偏置;与之相反,高剂量率辐照5 V偏置是最劣偏置,而加电阻偏置对辐照损伤有一定的抑制作用。最后,结合空间电荷模型和边缘电场效应对其辐照损伤差异及退火机理进行了初步探讨。
- 胥佳灵陆妩吴雪何承发胡天乐卢健张乐情于新
- 关键词：偏置条件ELDRS
- 沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响被引量：5
- 2012年
- 本文对不同沟道宽长比的NMOSFET进行了辐射与热载流子应力的试验研究,电参数测量数据表明:虽然两种损伤的原理具有相似之处,但总剂量辐射与热载流子的损伤表现形式及对沟道宽长比的依赖关系均不同.辐射损伤的最大特点是关态泄漏电流增加,并且损伤与沟道宽长比成反比;热载流子损伤会造成跨导等参数的显著变化,但关态泄漏电流无明显改变,并且损伤随沟道长度与宽度的减小而增大.从二者基本原理出发,结合宏观参数的表现形式,文中对辐射与热载流子损伤进行了详细分析,认为造成二者损伤差异及对沟道宽长比不同依赖关系的原因在于辐射与热载子注入引入的陷阱电荷部位不同.因此对两种损伤进行加固时应重点从器件设计尺寸、结构等方面综合考虑.
- 崔江维余学峰任迪远卢健
- 关键词：深亚微米总剂量辐射热载流子效应
