于新
- 作品数：52 被引量：47H指数：3
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金中国科学院科研装备研制项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
- 用于元器件电离辐照的X射线辐照方法
- 本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且...
- 李豫东于刚于新何承发文林郭旗
- 文献传递
- 一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法
- 本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号S<Sub>BG</Sub>和图像饱和信号S<Sub>max</Sub>，然后统计...
- 文林李豫东冯婕王田珲于新周东郭旗
- 文献传递
- 基于硅通孔的三维微系统互联结构总剂量效应损伤机制研究
- 2024年
- 垂直硅通孔(TSV)作为三维集成微系统的核心技术之一,可以通过多个平面层器件的垂直堆叠有效降低互联延迟,提高集成密度,减少芯片功耗。利用^(60)Co γ射线实验装置,以自主设计的基于TSV的三维互联结构作为实验对象,进行了总剂量效应敏感性分析。实验发现,随着累积辐照剂量的增加,TSV信号通道的插入损耗(S_(21))减小,回波损耗(S_(11))增大,信号传输效率不断降低。结果表明,总剂量效应诱发TSV内部寄生MOS结构产生氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷导致了寄生MOS电容C-V曲线出现“负漂”现象,由此引起的信号通道特征阻抗不连续是TSV出现信号完整性问题的内在机制。基于RLGC等效电路模型,利用Keysight ADS仿真软件验证了TSV内部寄生MOS电容总剂量效应的辐射响应规律。
- 王昊陈睿陈钱韩建伟于新孟德超杨驾鹏薛玉雄周泉丰韩瑞龙
- 关键词：总剂量效应插入损耗回波损耗
- 典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估被引量：4
- 2018年
- 采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能.
- 李小龙陆妩陆妩王信何承发郭旗何承发孙静于新姚帅魏昕宇
- CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究被引量：2
- 2017年
- 对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致。辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷。
- 李豫东文林郭旗何承发周东冯婕张兴尧张兴尧
- 关键词：CMOS图像传感器高能粒子
- 基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法被引量：2
- 2017年
- 根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率。该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义。
- 文林李豫东冯婕郭旗郭旗何承发周东张兴尧于新
- 关键词：宇宙射线高能粒子电荷耦合器件
- 3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究被引量：1
- 2017年
- 针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3 MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量。结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的。通过等效^(60)Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的。高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试。结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退。利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式。根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据。
- 于新郭旗李豫东何承发文林张兴尧周东
- 关键词：DC/DC退火
- 不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应
- 2017年
- 对InP DHBT进行了钴源辐射试验,研究了InP DHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应。使用Keysight B1500半导体参数分析仪,测试了InP DHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。研究表明:将InP DHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同。
- 张兴尧李豫东文林于新郭旗
- 关键词：INPDHBT总剂量辐射偏置退火效应
- 不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析被引量：1
- 2018年
- 对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。
- 李豫东文林郭旗何承发周东冯婕张兴尧张兴尧
- 关键词：质子电荷耦合器件
- ISCAS机器翻译系统与评测技术报告
- 本文介绍了中国科学院软件所基础软件国家工程研究中心多语言信息处理研究室参加CWMT2011机器翻译评测任务的情况。本次评测，我们主要参加了藏汉政府公文领域以及汉英新闻领域两个子任务，本文主要介绍我们此次参与评测的系统框架...
- 熊维王震于新刘汇丹诺明花马龙龙张立强洪锦玲吴健
- 关键词：机器翻译
