王信
- 作品数：60 被引量：73H指数：5
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性被引量：4
- 2013年
- 研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律.分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理.结果表明:1MeV电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤,并且在正偏情况下比60Coγ源辐照造成的损伤大;辐照过程中,不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大;在不同的辐照源下,LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.
- 胡天乐陆妩席善斌郭旗何承发吴雪王信
- 关键词：PNP偏置条件退火
- 增强型氮化镓功率器件的总剂量效应被引量：3
- 2021年
- 研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结构的GaN功率器件抗总剂量能力较强。分析了二者的退化机制。试验结果为GaN功率器件空间应用提供了有益参考。
- 陈思远于新陆妩王信李小龙刘默寒孙静郭旗
- 关键词：总剂量效应
- 重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟被引量：10
- 2013年
- 针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBTs),采用半导体器件模拟工具,建立SiGeHBT单粒子效应三维损伤模型,研究影响SiGeHBT单粒子效应电荷收集的关键因素.分析比较重离子在不同位置入射器件时,各电极的电流变化和感生电荷收集情况,确定SiGeHBT电荷收集的敏感区域.结果表明,集电极/衬底结内及附近区域为集电极和衬底收集电荷的敏感区域,浅槽隔离内的区域为基极收集电荷的敏感区域,发射极收集的电荷可以忽略.此项工作的开展为下一步采用设计加固的方法提高器件的抗辐射性能打下了良好的基础.
- 张晋新郭红霞郭旗文林崔江维席善斌王信邓伟
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集
- 偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
- 2020年
- 本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。
- 王利斌王信吴雪李小龙刘默寒陆妩
- 关键词：SIGEBICMOS偏置条件界面态
- 一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法
- 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率...
- 李小龙王信刘默寒于新郑齐文孙静李豫东郭旗陆妩
- 锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟被引量：5
- 2013年
- 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。
- 张晋新郭红霞文林郭旗崔江维范雪肖尧席善斌王信邓伟
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应激光微束电荷收集
- 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究被引量：2
- 2014年
- 为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线源下的总剂量试验研究.发现:1)CMOS工艺中固有的寄生效应导致NMOS晶体管截止区漏电流对总剂量敏感,随总剂量累积而增大;2)寄生双极晶体管总剂量损伤与常规双极晶体管不同,表现为对总剂量不敏感,分析认为两者辐射损伤的差异来源于制作工艺的不同;3)寄生双极晶体管与NMOS晶体管的总剂量损伤没有耦合效应;4)基于上述研究成果,初步分析CMOS工艺混合信号集成电路中数字模块及模拟模块辐射损伤机制,认为MOS晶体管截止漏电流增大是导致数字模块功耗增大的主因,而Bandgap电压基准源模块对总剂量不敏感源于寄生双极晶体管抗总剂量辐射的能力.
- 王信陆妩吴雪马武英崔江维刘默寒姜柯
- 关键词：总剂量效应
- 锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计研究
- 设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高SiGe HBT抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的SiGe HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对SiGe HBT电荷收集机制的影响,结...
- 李培郭红霞郭旗文林崔江维王信张晋新
- 关键词：电子元器件锗硅异质结双极晶体管单粒子效应
- 双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析被引量：3
- 2014年
- 为了对双极电压比较器在电离辐射环境下的损伤变化特征及其剂量率效应进行研究,选择一组器件,在不同偏置条件下进行60Coγ高低剂量率的辐照和退火试验.结果表明:电压比较器的电源电流、偏置电流及失调电压等多个关键参数都有不同程度的蜕变;偏置条件对于电压比较器的辐射响应有很大影响;此外,不同公司生产的同种型号电路表现出不同的剂量率效应;通过对测试结果分析,系统地讨论了各参数变化的原因,并结合电离损伤退火特性,探讨了各剂量率效应形成的机理.研究结果对工程应用考核提供了参考,而且为设计抗辐射加固器件提供了依据.
- 马武英陆妩郭旗何承发吴雪王信丛忠超汪波玛丽娅
- 关键词：剂量率效应
- 变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响被引量：2
- 2019年
- 利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应。结果表明,高电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有抑制作用;低电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有促进作用。电离辐照诱发的界面态缺陷电荷是TID-SET协同效应产生的根本原因,电压比较器的输出级结构导致了偏置状态对TID-SET协同效应的不同影响。
- 姚帅陆妩于新李小龙李小龙王信孙静孙静席善学何承发何承发
