孙静
- 作品数：93 被引量：101H指数：6
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究
- 2018年
- 空间高能质子作用于电荷耦合器件(CCD)产生的热像素是空间成像系统性能退化的主要原因之一。为深入认识质子辐射导致CCD产生热像素的规律和机制,对行间转移CCD进行了不同能量(3,10,23MeV)的质子辐射试验,研究了辐射导致CCD暗信号的退化和热像素产生的规律。试验结果表明,在较低辐射注量1E9p/cm^2下,CCD的暗信号退化很小,但热像素急剧增加。质子辐射能量越大,产生的热像素数量越多。结合粒子输运计算与理论分析表明,热像素产生原因是质子与半导体材料中的原子非弹性碰撞而形成的团簇缺陷。
- 刘元文林李豫东何承发郭旗孙静冯婕曾俊哲马林东张翔王田珲
- 关键词：电荷耦合器件
- 一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法
- 本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射...
- 孙静荀明珠刘海涛张兴尧李小龙崔江维郑齐文李豫东郭旗
- P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术
- 2021年
- 针对目前国内使用的P型金属氧化物半导体(Positive channel metal oxide semiconductor,PMOS)剂量计存在的灵敏度较低的问题,在对PMOS剂量计探头工作电路原理进行深入研究的基础上,采用差分工作模式的探头电路对我国PMOS剂量计的工作电路进行改进,采用^60Coγ辐射源对国内常用探头进行辐照试验。结果表明:差分工作模式探头的辐照响应在线性度方面基本与国内目前常用的恒流注入工作模式探头保持一致,根据公式ΔVth=KD^n拟合后两种工作模式的n值均为0.7;而差分工作模式下探头的灵敏度得到了大幅度提高,恒流工作模式时探头灵敏度为0.0218 V/Gy(Si),差分工作模式时探头灵敏度为0.0972 V/Gy(Si),是恒流注入工作模式灵敏度的4倍有余。
- 王思源孙静陆妩
- 关键词：剂量计差分电路总剂量
- γ射线辐照试验测距装置及测距方法
- 本发明提供了一种γ射线辐照试验测距装置及测距方法，用于解决现有的测距方法存在测量误差，以及读数误差等技术问题，该测距装置包括固定环和测距单元；固定环套装于辐射源的护源罩外侧，包括相互连接的两个圆弧段，圆弧段的外弧面上分别...
- 刘海涛孙静王信陈亚文于钢施炜雷李豫东
- 快速鉴别不同温度辐照环境下碳化硅功率晶体管损伤的方法
- 本发明涉及一种快速鉴别不同温度辐照环境下碳化硅功率晶体管损伤的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、源测量单元模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的扫描软件，设定...
- 冯婕冯皓楠蒲晓娟魏莹孙静梁晓雯张丹余学峰李豫东郭旗
- 电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应
- 2015年
- 为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。
- 文林李豫东郭旗孙静任迪远崔江维汪波玛丽娅
- 关键词：深亚微米NMOSFET电子辐照总剂量效应
- 一种用于横向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法
- 本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件...
- 陆妩郭旗马武英王信孙静文林崔江维
- 文献传递
- 深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应被引量：1
- 2015年
- 为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,这些NMOSFET与CCD内的MOSFET结构相同。分析了辐照后由于总剂量效应导致的NMOSFET参数退化情况以及参数的常温和高温退火行为。实验结果表明,深亚微米工艺器件的辐射耐受性相比大尺寸器件明显增强,不同沟道宽长比的器件表现出的总剂量效应差异显示了器件具有明显的窄沟效应,界面陷阱电荷在新型器件的总剂量效应中起主导作用。研究结果为大面阵CCD的辐射效应研究和辐射加固设计提供了理论支持。
- 文林李豫东郭旗孙静任迪远崔江维汪波玛丽娅
- 关键词：深亚微米NMOSFET总剂量效应
- 双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究被引量：2
- 2018年
- 对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的^(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPSA NPN管比传统NPN管的抗辐射能力更强,但其低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)改善不明显。最后,初步探讨了DPSA NPN管的辐射损伤机制,讨论了DPSA NPN管的抗ELDRS效应的机制。
- 贾金成陆妩吴雪张培健孙静王信李小龙刘默寒郭旗郭旗
- 关键词：^60CO-Γ辐射
- 总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响被引量：2
- 2018年
- 为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参数。结果表明,MOS器件的沟道宽度越窄,热载流子效应受辐射的影响越显著,总剂量辐射后热载流子效应对器件的损伤增强。分析认为,辐射在STI中引入的陷阱电荷是导致以上现象的主要原因。该研究结果为辐射环境下器件的可靠性评估提供了依据。
- 苏丹丹周航周航崔江维郑齐文崔江维孙静余学峰魏莹
- 关键词：NMNMOSFET总剂量效应热载流子效应
