吴雪
- 作品数：21 被引量：35H指数：3
- 供职机构：中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究被引量：2
- 2014年
- 为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线源下的总剂量试验研究.发现:1)CMOS工艺中固有的寄生效应导致NMOS晶体管截止区漏电流对总剂量敏感,随总剂量累积而增大;2)寄生双极晶体管总剂量损伤与常规双极晶体管不同,表现为对总剂量不敏感,分析认为两者辐射损伤的差异来源于制作工艺的不同;3)寄生双极晶体管与NMOS晶体管的总剂量损伤没有耦合效应;4)基于上述研究成果,初步分析CMOS工艺混合信号集成电路中数字模块及模拟模块辐射损伤机制,认为MOS晶体管截止漏电流增大是导致数字模块功耗增大的主因,而Bandgap电压基准源模块对总剂量不敏感源于寄生双极晶体管抗总剂量辐射的能力.
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- 关键词：总剂量效应
- 双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析被引量：3
- 2014年
- 为了对双极电压比较器在电离辐射环境下的损伤变化特征及其剂量率效应进行研究,选择一组器件,在不同偏置条件下进行60Coγ高低剂量率的辐照和退火试验.结果表明:电压比较器的电源电流、偏置电流及失调电压等多个关键参数都有不同程度的蜕变;偏置条件对于电压比较器的辐射响应有很大影响;此外,不同公司生产的同种型号电路表现出不同的剂量率效应;通过对测试结果分析,系统地讨论了各参数变化的原因,并结合电离损伤退火特性,探讨了各剂量率效应形成的机理.研究结果对工程应用考核提供了参考,而且为设计抗辐射加固器件提供了依据.
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- 关键词：剂量率效应
- 12位LC^2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应被引量：1
- 2013年
- 为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性,选取12位LC2 MOS工艺的数模转换器作为研究对象,使用60 Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明,LC2 MOS工艺的数模转换器对辐射剂量率非常敏感,高剂量率条件下的辐射损伤较低剂量率条件下的更为显著;不同偏置条件下,其辐射损伤程度也有很大不同,正常工作偏置下的数模转换器辐射损伤较非工作偏置的辐射损伤更为明显。
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- 关键词：电离辐射数模转换器剂量率效应
- BiCMOS工艺数模转换器剂量率效应研究
- 本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC，本次研究中的两款样品的功能参数及功率参数均表现出了潜在的低剂量率...
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- 关键词：航天电子设备数模转换器剂量率效应
- 文献传递
- 近红外光谱的海水微塑料快速识别被引量：4
- 2022年
- 光谱技术与机器学习算法结合快速识别微塑料,为微塑料的现场检测提供了极大的技术支持,是一个得到极大关注的新领域。近红外光谱检测技术具有检测速度快、灵敏度高、不损坏样品,且可以在不对样品进行预处理的情况下直接检测等特点,在化学分析、质量检测等领域广泛应用。本文基于近红外光谱检测技术,研究比较了结合Support Vector Machine(SVM)和Extreme Gradient Boosting(XGBoost)两种机器学习分类算法,构建微塑料的高速有效识别分类模型。采用微型近红外光谱仪采集了20种常见的微塑料标准样品的光谱数据,为了防止过拟合,对每种样品多次采样,共收集了1260个微塑料样本,每个样本包含512个数据点。利用XGBoost算法进行特征重要性排序,共提取了对识别准确率影响较大的65个数据点。分别采用SVM算法和XGBoost算法对数据降维后提取的65个数据点建立微塑料快速识别模型,并运用网格搜索(GridSearchCV)对XGBoost算法影响较大的超参数进行选取,确定n_estimators,learning_rate,min_child_weigh,max_depth,gamma的最佳超参数分别为700,0.07,1,1,0.0。为了提高模型的稳定性,识别速率和泛化能力,对模型采用10折交叉验证和混淆矩阵评估;研究结果表明,XGBoost模型对微塑料的识别准确率为97%,而SVM模型对微塑料的识别准确率为95%;XGBoost模型对微塑料识别的正确率优于SVM模型。综上所述,XGBoost模型微塑料识别整体性能优于SVM模型,为实际微塑料快速识别提供技术支撑。
- 吴雪吴雪蔡宗岐王清
- 关键词：近红外光谱SVM
- 质子辐射环境下PNP输入型双极运算放大器辐射效应与退火特性
- 同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3MeV、10MeV两种质子能量下的辐射效应和损伤特性进行了研究,并且将质子辐射损伤效应与50rad(Si)/s剂量率60Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和伽马射线之间的对...
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- 关键词：运算放大器退火特性即插即用功能
- 12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应被引量：1
- 2011年
- 对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)和失码(Misscode)在低剂量率下电离损伤更严重,表现出明显的低剂量率损伤增强效应(Enhanced-Low-Dose-Rate-Sensitivity,ELDRS)。结合工艺条件和空间电荷模型对ADC的损伤机理进行了讨论。
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- 关键词：BICMOS模数转换器剂量率
- 双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性被引量：2
- 2013年
- 介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量(1.8、1 MeV)不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后3种退火温度(室温,100、125℃)下随时间的变化,并讨论了引起电参数失效的机理。结果表明:与1 MeV辐照相比,1.8MeV电子辐照引起的LM837辐射损伤更明显;辐照过程中正偏条件下的偏置电流变化较零偏时的稍大;LM837辐照后的退火行为与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关。
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- 关键词：双极运算放大器电子辐照偏置条件退火
- PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性被引量：4
- 2013年
- 研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律.分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理.结果表明:1MeV电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤,并且在正偏情况下比60Coγ源辐照造成的损伤大;辐照过程中,不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大;在不同的辐照源下,LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.
- 胡天乐陆妩席善斌郭旗何承发吴雪王信
- 关键词：PNP偏置条件退火
- 双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应被引量：3
- 2012年
- 为分析电压比较器在空间辐射环境下的损伤变化规律,对电压比较器在不同偏置和剂量率下的电离辐射效应进行了系统研究。结果表明,电压比较器的多个参数均发生较大变化,且敏感参数与辐照条件有很强的依赖关系。不同偏置的高低剂量率辐照结果显示,比较器的剂量率效应与偏置相关,不同偏置条件下,器件的辐射损伤模式略有不同。
- 王义元陆妩任迪远吴雪席善斌高博徐发月
- 关键词：电离辐射剂量率效应
