申艳芬
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：山东大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- AlGaN/GaN HEMT势垒层厚度影响的模拟及优化
- 2011年
- 完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作。使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性等性能的模拟。建立该器件的极化效应模型是本项研究的重点。完成了对异质结条件下诸多模型参数的筛选及修正,得到了符合理论的模拟结果。器件特性的验证与优化基于势垒层厚度h的变化展开,研究结果显示:漏极电流随h值的增加而增加,当h值超过40nm时,因二维电子气浓度上升缓慢而使漏极电流趋于饱和;跨导随h值的减小而增大,h每降低10nm,跨导约增大37mS/mm;势垒层厚度对高频特性的影响较小。
- 申艳芬林兆军李惠军张明华魏晓珂刘岩
- 关键词：ALGAN/GAN极化效应
- AlGaN/GaN HEMT的模拟及研究
- 本文完成了具有AIN插层的AlGaN/GaN HEMT器件的结构级及器件物理特性级可制造性设计。该器件AIN插层厚度为5(A);AlGaN势垒层厚度为22.5nm;栅长为60um。在器件相关结构参数及实验结果的支撑下,笔...
- 申艳芬
- 关键词：氮化镓HEMT器件高电子迁移率极化效应应变弛豫
- 影响AlGaN/GaN HFET器件二维电子气的若干因素
- 2011年
- 基于Sentaurus Workbench(SWB)TCAD可制造性设计平台进行AlGaN/GaN器件的结构设计和仿真,并对影响二维电子气的重要参数因素进行了研究及优化,诸如AlGaN势垒层中Al组分x、AlGaN势垒层厚度h、应变弛豫度r和栅偏压Vg等因素。参数相关性的制约结果,无疑会反映在对器件物理特性的制约及影响上。研究结果表明,在一定条件下增大势垒层中Al组分和势垒层厚度可以提高器件的电流传输特性。然而随着二者的不断增大将会引起应变弛豫的发生,而应变弛豫的发生会降低器件的性能。
- 张明华林兆军李惠军申艳芬魏晓珂刘岩
- 关键词：ALGAN/GAN压电极化
