刘岩
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：山东大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟被引量：1
- 2008年
- 基于通信系统中射频电路设计的特殊要求,对小尺寸(基区宽度低于100nm)、超高频(特征频率高于15GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟,为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现,在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上,实现了该器件工艺级(Sentaurus Process)及器件物理特性级(Sentaurus Device)的仿真,提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明,在高频指标参数17GHz下,所得β值接近于80,满足设计要求。
- 赵守磊李惠军吴胜龙刘岩
- 关键词：小尺寸双极器件频率特性
- 纳米级BiCMOS双极架构的可制造性设计
- 2007年
- 基于对小尺寸双极性器件特性的理论分析,对合理实现BiCMOS的架构模式进行了深入研究,完成了TSUPREM-Ⅳ与MEDICI接口的TCAD可制造性设计流程,实现了BiCMOS环境下集成化小尺寸器件管芯制程的全流程虚拟制造。器件基区宽度小于100nm,器件特性理想。
- 刘岩侯志刚李惠军
- 关键词：可制造性设计
- AlGaN/GaN HEMT势垒层厚度影响的模拟及优化
- 2011年
- 完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作。使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性等性能的模拟。建立该器件的极化效应模型是本项研究的重点。完成了对异质结条件下诸多模型参数的筛选及修正,得到了符合理论的模拟结果。器件特性的验证与优化基于势垒层厚度h的变化展开,研究结果显示:漏极电流随h值的增加而增加,当h值超过40nm时,因二维电子气浓度上升缓慢而使漏极电流趋于饱和;跨导随h值的减小而增大,h每降低10nm,跨导约增大37mS/mm;势垒层厚度对高频特性的影响较小。
- 申艳芬林兆军李惠军张明华魏晓珂刘岩
- 关键词：ALGAN/GAN极化效应
- 基于SWB环境下的nm级NMOS虚拟优化
- 2008年
- 介绍了Synopsys Inc.推出的新一代(第五代)nm级TCAD仿真平台--Sentaurus Work-bench(SWB)的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制。基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化。在对NMOS集成化管芯的设计过程中,围绕Vt进行了可制造性设计,利用DOE试验方法和RSM对Vt进行了优化,得到了阈值电压(Vt)和调阈值注入剂量(Vt_Dose)、能量(Vt_Energy)及抑制穿通注入剂量(PNCH_Dose)、能量(PNCH_Energy)之间的RSM响应表面关系。在此基础上,分析了Vt各影响因素与Vt之间的关系,从而指导了在Vt的设计过程中各个主要影响参数的选取。
- 吴胜龙刘岩赵守磊李惠军于英霞张宪敏
- 关键词：可制造性设计集成电路
- 影响AlGaN/GaN HFET器件二维电子气的若干因素
- 2011年
- 基于Sentaurus Workbench(SWB)TCAD可制造性设计平台进行AlGaN/GaN器件的结构设计和仿真,并对影响二维电子气的重要参数因素进行了研究及优化,诸如AlGaN势垒层中Al组分x、AlGaN势垒层厚度h、应变弛豫度r和栅偏压Vg等因素。参数相关性的制约结果,无疑会反映在对器件物理特性的制约及影响上。研究结果表明,在一定条件下增大势垒层中Al组分和势垒层厚度可以提高器件的电流传输特性。然而随着二者的不断增大将会引起应变弛豫的发生,而应变弛豫的发生会降低器件的性能。
- 张明华林兆军李惠军申艳芬魏晓珂刘岩
- 关键词：ALGAN/GAN压电极化
