李惠军
- 作品数：64 被引量：49H指数：4
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学机械工程更多>>
- STM-1解扰系统的并行化技术研究与ASIC设计被引量：4
- 2005年
- 依据ITU-TG.707/Y.1322建议中给出的串行扰码算法推导出并行扰码算法,并由此算法设计出SDH8路并行扰码/解扰器。采用FPGA对该设计加以验证,证明设计方案是可行的。在此基础上,采用ASIC设计方法设计实现了STM-1解扰系统。
- 郭琦霍林许新新李惠军
- 关键词：同步数字体系扰码解扰
- 一种提高HBT高频稳定性的方法
- 本发明公开了一种提高HBT器件高频稳定性的方法，该方法步骤如下：(1)首先选择K稳定因子为1的频率点f<Sub>K＝1</Sub>大于1GHz的HBT器件；(2)建立HBT器件的共发射极混合PI型小信号模型，利用该小信号...
- 陈延湖冯尚功李惠军
- Taurus Workbench虚拟IC芯片加工系统
- 2003年
- 介绍了被业界称之为“虚拟集成电路芯片加工厂”的TCAD集成化仿真系统TaurusWorkbench(TWB)及其优化机制。
- 徐永勋李静李惠军
- 关键词：计算机辅助设计IC芯片集成电路虚拟化
- 一种基于H.264运动矢量的视频水印嵌入提取方法
- 一种基于H.264运动矢量的视频水印嵌入提取方法，属视频数字加解密技术，包括视频水印嵌入和提取两个过程，视频水印嵌入是将P帧作为嵌入目标，利用密钥生成一组伪随机序列，序列的取值是{0，1}；然后把密钥分组，每一组转化成十...
- 李惠军郑熠孙向阳
- 文献传递
- EoS系统中GFP封装与解封装的设计被引量：4
- 2009年
- 根据协议ITU-T G.7041/Y.1303的规定,对EoS系统中GFP封装与解封装电路及电路子模块进行了设计,并根据实际要求,通过在Xilinx公司VirtexII Pro系列XC2VP40器件上的实现,得到了最终实现结果。结果表明,设计符合高速EoS系统的应用。
- 马骞李惠军史晓飞李玲
- 关键词：通用成帧规程以太网同步数字体系
- 微纳级双极晶体管的热耗散研究
- 2006年
- 对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与晶格温度T的因变关系。研究结果显示,随着IC的增加,器件的晶格温度逐渐升高,VCE保持在3.0V、VBE达到最大值0.735V时,随器件晶格温度的升高VBE将减小。最后,笔者给出了描述晶体管温变关系的三维曲线。
- 侯志刚李惠军许新新
- 关键词：超深亚微米集成电路
- SDH中E1/VC-12异步映射的设计与实现被引量：2
- 2006年
- 分析了同步数字体系中2.048Mbps支路信号E1异步映射进VC-12的过程,并根据正/零/负码速调整原理确定了缓冲存储器的容量和正负码速调整的判定门限。通过对异步FIFO读控制实现了此异步映射过程的正/零/负码速调整。同时,为了在异步时钟域之间可靠地传递数据,采用格雷码实现读时钟域对写指针的采样。该设计通过了功能仿真、综合及FPGA验证。
- 霍林郭琦许新新李惠军
- 关键词：同步数字体系异步映射码速调整异步FIFO格雷码
- Raphael-深亚微米集成互连参数仿真优化系统
- 2002年
- 针对超深亚微米层次下的金属互连设计,使用Raphael(集成布线互连)仿真系统完成了互连寄生效应参数的提取。介绍了Raphael仿真系统的主要功能及基本应用,并分析了常规集成布线互连参数模型。采用二层跨越式互连结构,对寄生电阻、电容参数进行了仿真,并得到电流密度的分布结果。这些参数的提取及验证对电路的布局设计是十分重要的。
- 陈慧凯赵攀岭李惠军
- 关键词：仿真集成电路计算机辅助设计寄生参数
- 集成化N沟MOS核心参数的Taurus Workbench优化
- 2004年
- 首先介绍了集成电路TCAD虚拟工厂系统TaurusWorkbench,基于CMOS工艺的特点,在TaurusWorkbench环境下进行了深亚微米级N沟器件的核心参数优化,优化结果印证了新的工艺条件对器件特性的改善。
- 侯国宪李惠军赵国庆
- 关键词：超大规模集成电路超深亚微米阈值电压
- 功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究被引量：2
- 2011年
- 依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能够影响功率VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置。结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平。
- 赵志桓姜维宾韩希方张礼李惠军李东华
- 关键词：功率仿真工艺参数可制造性设计
