许新新
- 作品数：13 被引量：11H指数：2
- 供职机构：山东大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- STM-1解扰系统的并行化技术研究与ASIC设计被引量：4
- 2005年
- 依据ITU-TG.707/Y.1322建议中给出的串行扰码算法推导出并行扰码算法,并由此算法设计出SDH8路并行扰码/解扰器。采用FPGA对该设计加以验证,证明设计方案是可行的。在此基础上,采用ASIC设计方法设计实现了STM-1解扰系统。
- 郭琦霍林许新新李惠军
- 关键词：同步数字体系扰码解扰
- MSTP芯片的系统级设计及FPGA验证
- 电信运营商目前所面临的重大挑战就是在提供传统语音和专线业务的同时，满足客户日益增加的数据业务需求。现有SDH/SONET传输网无法有效地支持诸如以太网和存储局域网(SAN)等新的数据业务，而建设新的纯数据网络代价过于高昂...
- 许新新
- 关键词：多业务传送平台通用成帧规程虚级联链路容量调整机制FPGA验证
- 文献传递
- 微纳级双极晶体管的热耗散研究
- 2006年
- 对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与晶格温度T的因变关系。研究结果显示,随着IC的增加,器件的晶格温度逐渐升高,VCE保持在3.0V、VBE达到最大值0.735V时,随器件晶格温度的升高VBE将减小。最后,笔者给出了描述晶体管温变关系的三维曲线。
- 侯志刚李惠军许新新
- 关键词：超深亚微米集成电路
- SDH中E1/VC-12异步映射的设计与实现被引量：2
- 2006年
- 分析了同步数字体系中2.048Mbps支路信号E1异步映射进VC-12的过程,并根据正/零/负码速调整原理确定了缓冲存储器的容量和正负码速调整的判定门限。通过对异步FIFO读控制实现了此异步映射过程的正/零/负码速调整。同时,为了在异步时钟域之间可靠地传递数据,采用格雷码实现读时钟域对写指针的采样。该设计通过了功能仿真、综合及FPGA验证。
- 霍林郭琦许新新李惠军
- 关键词：同步数字体系异步映射码速调整异步FIFO格雷码
- STM-1段开销处理系统的可设计性测试被引量：1
- 2005年
- 本文依据ITU关于同步数字体系SDH的建议,设计实现了STM-1段开销处理系统,重点完成了该系统的可设计性测试,并给出了通过该系统验证的测试方案。
- 郭琦霍林许新新李惠军
- 关键词：同步数字体系段开销
- 同步数字体系中155Mbit/s净荷的误码测试被引量：1
- 2006年
- 本文基于光纤传输同步数字体系(SDH)系统的开发背景,较为详细地总结了155Mbit/s速率下的净荷误码测试机理。最后给出了净荷的误码测试方法以及误码测试系统的信号流程。
- 霍林许新新赵雷华熹曦李惠军
- 关键词：同步数字体系误码误码测试
- 可编程逻辑器件亚稳态的分析与测试被引量：3
- 2006年
- 随着可编程逻辑器件(PLD)的功能日益强大,工作频率不断提高。由于片上多时钟域系统的集成,使得异步信号数量增加,由此带来了所谓的亚稳态(metastable)问题。亚稳态问题对器件的可靠性将造成严重影响。基于PLD器件亚稳态的成因与机理,本文提出一种简便、可靠的PLD器件亚稳态性能的测试方案。
- 许新新赵雷华熹曦郭琦霍林李惠军
- 关键词：亚稳态平均无故障时间可编程逻辑器件
- 小尺寸双极超β晶体管的TCAD设计与优化被引量：1
- 2005年
- 基于TCAD一体化系列工具,实现了小尺寸双极性超β晶圆管芯的工艺级及器件物理特性级的 设计与优化。提出了基区宽度接近90nm层次下的小尺寸双极性超β晶体管的工艺实施方案。经TSUPREM -Ⅳ和MEDICI一体化仿真、参数提取及特性的验证表明,设计方案完全可以达到器件参数的要求。
- 许新新郭琦霍林李惠军
- 关键词：双极型晶体管增益计算机仿真
- GFP、VCAT和LCAS技术在SDH／SONET传输网中的应用
- 2006年
- 分别介绍了通用成帧规程（GFP）技术、虚级联（VCAT）技术和链路容量调整方案（LCAS）技术在SDH／SONET传输网中的应用。描述了GFP所定义的两种处理模式、虚级联技术充分利用带宽的特点，以及链路容量调整方案在不中断数据流调整网络带宽方面所提供的四种功能。
- 许新新华熹曦赵雷李惠军
- 关键词：GFPVCATLCASSONET
- 超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究
- 2005年
- 集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次。小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命。本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的诱因分析及器件,重点剖析了陷阱效应、短沟效应、热载流子效应和栅氧击穿对器件可靠性的影响。在此基础上,提出了抑制小尺寸效应、提高器件失效阈值、保障器件可靠性的若干工艺措施。
- 侯志刚许新新张宪敏于英霞李惠军
- 关键词：超大规模集成电路特征尺寸超深亚微米小尺寸效应可靠性
