郭婷婷
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 存储器及其制作方法
- 本发明公开了一种冠状势垒复合隧穿层的纳米晶浮栅非易失存储器，包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO<Sub>2</Sub>材料介质/高k材料介质组...
- 刘明王琴胡媛郭婷婷
- 文献传递
- 存储器及其制作方法
- 本发明公开了一种冠状势垒复合隧穿层的纳米晶浮栅非易失存储器，包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO<Sub>2</Sub>材料介质/高k材料介质组...
- 刘明王琴胡媛郭婷婷
- 文献传递
- 高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用被引量：2
- 2009年
- 随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄。作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研究现状和在NVM器件中应用所取得的进展;最后,对高k介质进一步应用的研究趋势进行了展望。
- 刘璟王琴龙世兵胡媛杨仕谦郭婷婷刘明
- 关键词：非挥发性存储器
- 纳米晶浮栅存储器的模拟、制备和电学特性
- 2009年
- 介绍了在纳米晶浮栅存储器数据保持特性方面的研究工作,重点介绍了纳米晶材料的选择与制备和遂穿介质层工程。研究证明,金属纳米晶浮栅存储器比半导体纳米晶浮栅存储器具有更好的电荷保持特性。并且金属纳米晶制备方法简单,通过电子束蒸发热退火的方法就能够得到质量较好的金属纳米晶,密度约4×1011cm-2,纳米晶尺寸约6～7nm。实验证明,高介电常数隧穿介质能够明显改善浮栅存储器的电荷保持特性,所以在引入金属纳米晶和高介电常数遂穿介质之后,纳米晶浮栅存储器可能成为下一代非挥发性存储器的候选者。
- 郭婷婷刘明管伟华胡媛李志刚龙世兵陈军宁
- 关键词：纳米晶金属纳米晶
- 存储器及其制作方法
- 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种冠状势垒复合隧穿层的俘获型浮栅非易失存储器，包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO<Sub>2</Sub>材料...
- 刘明王琴胡媛郭婷婷
- 文献传递
