您的位置： 专家智库 > >

王琴

作品数：106 被引量：53H指数：5
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 93篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇自动化与计算...
  • 9篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 54篇存储器
  • 36篇纳米
  • 28篇纳米晶
  • 25篇浮栅
  • 20篇俘获
  • 15篇衬底
  • 13篇硅衬底
  • 10篇光刻
  • 10篇非挥发性存储...
  • 10篇感器
  • 10篇编程
  • 10篇传感
  • 10篇传感器
  • 9篇单电子晶体管
  • 9篇隧道结
  • 9篇晶体管
  • 8篇电路
  • 8篇载流子
  • 8篇成像器
  • 8篇成像器件

机构

  • 106篇中国科学院微...
  • 2篇安徽大学
  • 2篇学研究院
  • 1篇兰州大学
  • 1篇北京国网电力...
  • 1篇国网辽宁省电...

作者

  • 106篇王琴
  • 102篇刘明
  • 52篇龙世兵
  • 27篇霍宗亮
  • 25篇刘璟
  • 22篇张满红
  • 19篇陈宝钦
  • 19篇谢常青
  • 17篇李维龙
  • 17篇王永
  • 17篇贾锐
  • 16篇杨潇楠
  • 13篇朱晨昕
  • 12篇刘琦
  • 9篇叶甜春
  • 9篇胡媛
  • 8篇张森
  • 8篇李冬梅
  • 8篇冀永辉
  • 7篇陈晨

传媒

  • 3篇微电子学
  • 3篇微纳电子技术
  • 3篇传感器与微系...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇2010(第...

年份

  • 3篇2018
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 10篇2013
  • 20篇2012
  • 14篇2011
  • 14篇2010
  • 25篇2009
  • 9篇2008
  • 2篇2007
共 106 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法
一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特征是在SOI衬底上制备量子线，利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道结和库仑岛，从而降低了微纳加工的难度，实现隧道结有效尺寸可调的单电子晶体管。其主要工艺步骤如...
王琴李维龙贾锐刘明叶甜春
文献传递
一种存储器读出电路以及存储器
本发明涉及一种存储器读出电路以及存储器，属于集成电路设计技术领域。所述读出电路包括电流镜，与电流镜并联相连的预充电路，与并联相连的电流镜和预充电路串联相连的钳位电路，与钳位电路串联相连的Y译码通道，与Y译码通道串联相连的...
王琴柳江刘明
浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法
本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，该方法包括：采用溅射工艺将多种靶材共溅射在隧穿介质层上，淀积生长俘获层介质；在溅射过程中将其他靶材掩蔽，单独溅射某一种靶材，在俘获层中形成纳米晶材料过剩的内嵌纳...
刘明刘璟王琴龙世兵
非挥发存储器的制备方法
本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层；在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以...
朱晨昕贾锐陈晨李维龙李昊峰王琴刘明
文献传递
一种基于纳米晶的NAND存储器及其制作方法
本发明涉及一种基于纳米晶的NAND存储器及其制造方法，该存储器包括纳米晶存储单元和选择晶体管。纳米晶存储单元包括硅衬底，位于硅衬底中两侧的源导电区和漏导电区，源导电区与漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层，覆盖在隧...
王琴杨潇楠王永张满红霍宗亮刘明
文献传递
一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法
本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、连接库仑岛与漏的隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极...
龙世兵王琴陈杰智刘明陈宝钦
文献传递
电阻转变型存储器及其制造方法
本发明提供一种非易失性电阻转变型存储器，其中在电阻转变存储层与电极之间设置有缓冲层，从而能够增加存储器的总电阻，进而减小存储器的工作电流，而且缓冲层还可改善界面处的势垒高度，从而降低存储器的工作电压，进而降低存储器的功耗...
刘明李颖弢龙世兵王琴王艳刘琦张森左青云
文献传递
一种制备单电子晶体管的方法
本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种利用Undercut技术制备单电子晶体管的方法，在SOI衬底上利用电子束曝光双层胶工艺以及Undercut技术制备单电子晶体管。其主要工艺步骤如下：离子注入及快速退火；...
王琴李维龙贾锐刘明叶甜春
文献传递
一种混合型非易失存储单元及其制作方法
本发明公开了一种混合型非易失存储单元及其制作方法。该存储器包括：硅衬底；在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区；在源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的隧穿介质层；在隧穿介质层上覆盖的第一俘获层；在第一俘获层上覆盖的多晶硅浮栅层...
霍宗亮钟浩王琴龙世兵刘明
文献传递
非挥发存储器的制备方法
本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层；在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以...
朱晨昕贾锐陈晨李维龙李昊峰王琴刘明
文献传递
全选 清除 导出
共11页<12345678910>
聚类工具0