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霍宗亮

作品数：349 被引量：17H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 317篇专利
  • 29篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 70篇自动化与计算...
  • 66篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 127篇存储器
  • 55篇电路
  • 48篇电压
  • 47篇沟道
  • 46篇闪存
  • 26篇衬底
  • 25篇编程
  • 22篇刻蚀
  • 21篇栅极
  • 20篇介质层
  • 19篇阻挡层
  • 19篇纳米
  • 18篇叠层
  • 18篇纠错
  • 17篇电荷泵
  • 16篇误码
  • 16篇俘获
  • 14篇堆栈
  • 13篇氧化层
  • 13篇载流子

机构

  • 340篇中国科学院微...
  • 14篇中国科学院大...
  • 10篇北京大学
  • 3篇长江存储科技...
  • 2篇成都信息工程...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇兰州大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 349篇霍宗亮
  • 127篇刘明
  • 116篇叶甜春
  • 88篇王颀
  • 66篇谢常青
  • 64篇张满红
  • 42篇刘璟
  • 34篇李冬梅
  • 33篇龙世兵
  • 32篇李春龙
  • 27篇王琴
  • 20篇靳磊
  • 17篇许中广
  • 16篇朱晨昕
  • 13篇王永
  • 13篇夏志良
  • 13篇洪培真
  • 12篇杨诗洋
  • 11篇侯成诚
  • 11篇汪幸

传媒

  • 7篇Journa...
  • 5篇微电子学
  • 4篇微电子学与计...
  • 4篇微纳电子技术
  • 2篇电子学报
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇中国科技成果

年份

  • 19篇2023
  • 34篇2022
  • 37篇2021
  • 39篇2020
  • 35篇2019
  • 27篇2018
  • 12篇2017
  • 13篇2016
  • 22篇2015
  • 26篇2014
  • 30篇2013
  • 44篇2012
  • 2篇2011
  • 7篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2000
共 349 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三维多值非挥发存储器的制备方法
本发明公开了一种三维多值非挥发存储器的制备方法，该方法包括：A、在半导体衬底上形成栅极叠层结构；B、形成栅介质层；C、形成沟道区域及源/漏掺杂区；D、分别由源/漏掺杂区及栅极区引出位线及字线，形成非挥发存储器的三维集成。...
刘明朱晨昕霍宗亮闫锋王琴龙世兵
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一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路
本发明公开了一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路，该零温度系数参考电压产生电路包括依次连接的启动电路、电流产生电路和电压产生电路，其中：启动电路，用以确保该零温度系数参考电压产生电路在上电之后能够正常工作；电流...
李婷霍宗亮刘明王瑜曹华敏刘璟
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一种COMS振荡器电路
本发明公开一种COMS振荡器电路，包括监测模块和复位脉冲产生模块；通过监测模块在监测到所述RS触发器的两个输出信号的电平相同时，输出触发信号至所述复位脉冲产生模块；以使复位脉冲产生模块输出复位脉冲信号至第一延迟单元、第一...
杨诗洋王颀刘飞霍宗亮靳磊叶甜春
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一种非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性存储器及其制备方法，该存储器包括：硅衬底；在该硅衬底上重掺杂的源区和漏区；在该源区和漏区之间载流子沟道上形成的栅介质层；以及在该栅介质层之上形成的栅电极。其中栅介质层由在该硅衬底沟道之上依次形成的...
刘明许中广朱晨昕霍宗亮谢常青
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一种三维存储器及其制备方法
本申请公开了一种三维存储器及其制备方法，所述三维存储器的制备方法在衬底表面形成了位于阵列区和台阶区的堆叠结构后，在位于所述台阶区的堆叠结构表面形成保护膜层，并对所述保护膜层进行刻蚀，在刻蚀过程中，当其他台阶的保护膜层刻蚀...
赵治国霍宗亮李春龙叶甜春
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一种可校准的阻抗电路
本发明提供了一种可校准的阻抗电路，能够通过控制电路和可控阻抗的驱动电路配合实现不同工作模式下需要的等效阻抗。同时，本发明提供的可控阻抗的驱动电路包括有多个等效阻抗的驱动单元，且所有驱动单元的上拉可控阻抗模块之间并联，及所...
海亚刘飞霍宗亮叶甜春
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一种占空比校准电路及方法
本申请实施例提供了一种占空比校准电路及方法，包括含有可配置延迟路径的自动脉宽检测模块和自适应控制模块，自动脉宽检测模块可以对输入的待校准时钟信号的高电平脉宽和低电平脉宽以及电路工作的环境进行检测，以便自适应控制模块根据检...
海亚刘飞霍宗亮叶甜春
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一种用于三维闪存测试的低成本PMU电路
2020年
为了改善3D NAND测试机价格昂贵导致的闪存芯片成本过高的问题,提出了一种新的基于FPGA的用于3D NAND闪存芯片直流参数测试的低成本PMU(精密测量单元)电路.利用FPGA灵活的可编程特性,通过对ADC、DAC和继电器等分立元件工作的控制,实现了具有FVMI(加电压测电流)、FIMV(加电流测电压)等直流参数测试功能的PMU电路.该PMU电路已应用于YMTC自研3D NAND Flash测试平台,可以对3D NAND的直流参数进行准确测量,并且测试机台的成本只有大型ATE机台的0.175%,从而缓解了芯片测试成本过高的问题.
张玺王颀童炜霍宗亮
关键词：FPGA
一种极化码的获取方法及获取系统
本申请公开了一种极化码的获取方法及获取系统，其中，所述极化码的获取方法在根据获取的信道建模参数建立了信道模型之后，根据所述信道模型使用蒙特卡洛方法进行极化码构造，以获得随机极化码码字，最后利用所述随机极化码码字进行多次迭...
王颀于晓磊李前辉杨柳何菁霍宗亮叶甜春
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分裂栅存储器及其制造方法
一种分裂栅存储器，隧穿介质层采用低k介质材料。通过采用低介电常数材料作为分裂栅存储器中的隧穿介质层，由于具有低的介电常数，从而在不增加其隧穿介质层厚度的情况下，有效的降低了控制栅介质层与电荷存储层之间的耦合电容，使得其擦...
刘明姜丹丹霍宗亮张满红王琴刘璟谢常青
文献传递
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