张满红
- 作品数：66 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 分裂栅存储器及其制造方法
- 一种分裂栅存储器，隧穿介质层采用低k介质材料。通过采用低介电常数材料作为分裂栅存储器中的隧穿介质层，由于具有低的介电常数，从而在不增加其隧穿介质层厚度的情况下，有效的降低了控制栅介质层与电荷存储层之间的耦合电容，使得其擦...
- 刘明姜丹丹霍宗亮张满红王琴刘璟谢常青
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- 一种CMOS带隙基准电压源
- 本发明涉及一种CMOS带隙基准电压源。所述电压源包括输入电流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NM...
- 刘明张君宇张满红霍宗亮谢常青潘立阳陈映平刘阿鑫
- 纳米晶浮栅存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种纳米晶浮栅存储器包括硅衬底；所述硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区；所述源导电区与所述漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层；覆盖在所述隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层；覆盖在所述纳米晶电荷存储层上的采...
- 刘明金林霍宗亮刘璟张满红王琴
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- 阻变存储器及其制造方法
- 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
- 龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
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- 一种大规模闪存灵敏放大器的多相位预充方法
- 2012年
- 随着微电子技术节点不断向前推进,非挥发性存储器(NVM)的容量迅速增大,对读取速度的要求也日益提高。通常,在大规模快闪存储器中采用页读取模式将多个比特的数据同时读取到缓存中,再从缓存中依次输出数据。这样等效于缩短读取周期,但也会遇到瞬态功耗过大的问题。作为改进措施,提出一种新型电流型灵敏放大器的预充方法,在传统灵敏放大器的基础上,采取多相位预充的方法,分时段对位线进行预充电,将瞬态大电流平均到整个预充周期,从而在保证低功耗的同时加大页读取的容量,提高读取速度。经验证,采用该方法的灵敏放大器具有较快的读取速度、较低的功耗,在3.3V工作电压下,电路的读取时间为7ns。
- 张君宇张满红霍宗亮刘璟刘阿鑫刘明
- 关键词：灵敏放大器非挥发性存储器流水线
- 复合存储器
- 本发明公开了一种复合存储器。该复合存储器包含若干个复合存储单元。该复合存储单元包括：浮栅子单元；以及形成于该浮栅子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元；其中，RRAM子单元作为存储模块时，浮栅子单元作为选通模块；...
- 刘明许中广霍宗亮谢常青龙世兵张满红李冬梅王琴刘璟
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- 一种制作声表面波传感器敏感膜的方法
- 本发明公开了一种制作声表面波传感器敏感膜的方法，是在双延迟线型振荡器的一条延迟线上，通过电子束蒸发和剥离光刻胶形成敏感膜，该敏感膜是由TiO<Sub>2</Sub>和WO<Sub>3</Sub>构成的聚合敏感膜。利用本发...
- 李冬梅汪幸刘明周文侯成诚闫学锋谢常青霍宗亮张满红
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- 一种对多位半导体存储器进行编程的方法
- 本发明公开了一种对多位半导体存储器进行编程的方法，涉及半导体存储器技术领域。该方法包括：对多位半导体存储器内所有存储单元进行复位操作；执行第一轮编程操作，将该多位半导体存储器内所有存储单元的阈值电压编程至比该存储单元所指...
- 刘明姜丹丹霍宗亮张满红刘璟谢常青
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- 一种金属纳米晶存储器的制备方法
- 本发明公开了一种金属纳米晶存储器的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积隧穿介质层；将金属纳米晶胶体喷射沉积在隧穿介质层上，并使金属纳米晶胶体中的溶剂挥发，剩余金属纳米晶在隧穿介质层表面形成金属纳米晶存储层；在金属纳米晶存储...
- 刘明许中广霍宗亮朱晨昕谢常青张满红
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- 双栅电荷俘获存储器及其制作方法
- 本发明公开了一种基于多晶硅纳米线场效应晶体管的双栅电荷俘获存储器及其制作方法。该双栅电荷俘获存储器具有两个多晶硅栅极，包括：半导体衬底；形成于该半导体衬底之上的第一介质缓冲层；形成于该第一介质缓冲层之上的第二介质缓冲层；...
- 刘明王晨杰霍宗亮张满红刘璟王永谢常青
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